方略学科导航

搜索结果: 1-1 共查到“计算物理学 K-Ar”相关记录1条 . 查询时间(0.046 秒)

He(Ar)低能FIB研磨Si薄膜的纳米孔洞溅射产额的计算聚焦离子束溅射产额氦离子氩离子 2012/11/7

利用蒙特卡罗方法计算氦离子和氩离子在各种参数下(离子能量、入射角度)入射硅材料表面的溅射产额.计算了硅材料表面的溅射产额对离子数目、离子能量、入射角度与He离子和Ar离子的数量依赖关系,并对模拟结果进行分析.当入射离子数量为2000个,入射能量为3keV,入射角度为84°时,He离子产生的溅射产额最大值是1.30Atoms/ion;当入射角度为78°时,Ar离子产生的溅射产额最大值是8.91Ato...