搜索结果: 1-11 共查到“化学 ITO”相关记录11条 . 查询时间(0.015 秒)
立方形貌ITO粉体的水热法制备及光电性能
立方体形貌氧化铟锡 水热法 光电性能
2019/1/29
以金属In和SnCl4·5H2O为原料,采用水热法在120~140 ℃得到In(OH)3前驱体,该前驱体在550 ℃下煅烧得到立方体形貌的氧化铟锡粉体. 研究了水热反应温度和反应时间对粉体形貌和晶型的影响. 通过热分析仪(TG-DSC)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、透射电子显微镜(TEM)、四探针电阻仪、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见-近红外分光光度计以及荧光光谱仪...
细胞色素C551在ITO电极上的直接电化学
细胞色素C551 ITO电极 直接电化学
2009/12/8
在不加任何电子转移促进剂的条件下,用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)观察到细胞色素C551在ITO导电玻璃上的直接电化学行为.结果显示电极反应过程为准可逆性质,计算得到细胞色素C551的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数,并对其在ITO导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析.
ITO在NaOH溶液中阳极与阴极极化过程的电化学行为
ITO薄膜 循环伏安 阴极极化 电化学腐蚀
2009/12/1
通过循环伏安法等方法研究了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电化学行为. 获得了ITO薄膜在NaOH溶液中阴极和阳极极化处理前后的循环伏安曲线. 采用透射光谱, 方块电阻测试, 扫描电子显微镜(SEM), 能量色散X射线荧光光谱(EDS)与X射线衍射(XRD)表征ITO薄膜经电化学处理后的反应产物. 结果表明, ITO薄膜在阳极处理后(约为+1.5 V(vs SCE))保持了稳定的成分和结构. 但经...
应用循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了[Ru(bpy)2tatp]3+/2+(bpy=2,2′-联吡啶, tatp=1,4,8,9-四氮三联苯)在ITO表面上的电化学组装及双十六烷基磷酸盐(DHP)和单壁碳纳米管(SWCNTs)对其组装效果的影响. 研究结果表明, [Ru(bpy)2tatp]2+在ITO电极上1.057 V(vs. Ag/AgCl)电位下呈现出清晰的扩散控制峰. 随着连续伏安扫描次...
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ITO
2009/10/30
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,苝环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4...
在具有条形电极的ITO (氧化铟锡)玻璃上负载Fe3+-TiO2薄膜,得到全固态平面型ITO/Fe3+-TiO2/ITO光电催化器件. 利用Keithley 2400数字源电流表对器件施以一定的偏压,以气相甲醛的降解为模型反应,对器件分别进行了空气和氮气条件下的光电催化性能测试. 结果表明,甲醛的存在能够增强体系的光电流,并且在氮气下器件的光电流明显大于在空气下的光电流,说明甲醛参与了电子的迁移过...
在具有条形电极的ITO (氧化铟锡)玻璃上负载Fe3+-TiO2薄膜,得到全固态平面型ITO/Fe3+-TiO2/ITO光电催化器件. 利用Keithley 2400数字源电流表对器件施以一定的偏压,以气相甲醛的降解为模型反应,对器件分别进行了空气和氮气条件下的光电催化性能测试. 结果表明,甲醛的存在能够增强体系的光电流,并且在氮气下器件的光电流明显大于在空气下的光电流,说明甲醛参与了电子的迁移过...
ITO/TiO2表面电沉积CdS纳米粒子及其薄膜的光电性能
电沉积 硫化镉 复合薄膜 光电性能
2008/10/24
采用阴极恒电位沉积方法, 在TiO2表面沉积制备出CdS纳米粒子. XRD和SEM测试结果表明, CdS粒子的结构以六方晶相为主, 粒径分布均匀, 表面形貌呈菜花状. 通过调节沉积电位和沉积时间等因素在一定程度上可以控制CdS纳米粒子的生长. 随着沉积电位变负, CdS粒子的粒径逐渐减小. 沉积时间越短, 粒子粒径越小. 紫外-可见吸收光谱测试结果表明, 不同条件下制备出来的CdS粒子表现出一定的...
利用商品化ITO玻璃导电层的温阻效应, 无需任何微加工手段, 实现了自加热和传感的芯片温度自动程序控制, 最大程度地减小了传感滞后对温度控制稳定性的影响, 温度控制的稳定性达到了0.2 ℃, 升温速度最快可达20 ℃/s以上, 在冷却风扇辅助下降温速度最快达到了8 ℃/s. 芯片温控单元的引线从传统的两对(一对用于传感, 一对用于加热)减少为一对. 通过在该芯片上直接构建多个开放微池反应器的方法成...