搜索结果: 1-10 共查到“工学 28nm”相关记录10条 . 查询时间(0.093 秒)
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
中国科学院微电子研究所在28nm RRAM存内计算电路研究中获进展（图）
28nm RRAM存内 计算电路
2023/8/31
物联网与人工智能技术的发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算，将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素和阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算面临着计算性能与能效方面的限制。中国科学院院士、微电子研究所研究员刘明团队采用跨层...
中国科学院微电子所在28nm RRAM存内计算电路研究中获进展（图）
微电子所 计算电路 人工智能
2023/9/1
物联网与人工智能技术的发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算，将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素和阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算面临着计算性能与能效方面的限制。中国科学院院士、微电子研究所研究员刘明团队采用跨层...
中国科学院微电子所在28nm RRAM存内计算电路领域取得进展（图）
计算电路 人工智能 计算性能 晶体管构成
2023/8/21
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算、将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。但由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算仍面临计算性能与能效方面的限制。
俄军接收米-28NM“超级暗夜猎手”武装直升机（图）
俄军 米-28NM 超级暗夜猎手 武装直升机
2021/1/4
据俄罗斯媒体报道，俄国防部日前明确俄军接收米-28NM“超级暗夜猎手”武装直升机（以下简称米-28NM）的时间表。据悉，年底前俄企业将向俄军交付第一批量产机型，这些米-28NM将开启米-28家族的新篇章。
台湾台积电（TSMC）在IEDM 2008上，发布了28nm级工艺技术。该公司首次采用了high-k及金属栅极（HKMG）技术，“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”。至此，大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调一致。
ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC
合作开发 工艺
2011/11/4
据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”，共同开发对于...
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺
台积电 工艺 曝光技术
2011/11/4
据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波...