搜索结果: 1-15 共查到“工学 PLD”相关记录17条 . 查询时间(0.031 秒)
PLD法制备半球面均匀DLC膜的装置、仿真与实验
均匀膜层 脉冲激光沉积 类金刚石膜 大口径半球面衬底
2016/9/5
由于激光烧蚀靶材形成的等离子体羽辉呈高斯分布,导致沉积的大面积薄膜尤其是球面衬底上的薄膜极不均匀,严重限制了脉冲激光沉积法的应用。设计构建了旋转与变速摆动相结合的三维衬底机构,实现对半球面不同区域的连续沉积,保证了膜层的均匀性;建立膜厚分布的数学模型,模拟分析了运动参数对膜厚分布的影响;首次利用脉冲激光沉积技术制备出口径200 mm大尺寸半球面衬底上的均匀类金刚石膜,顶角80°范围内膜厚不均匀性≤...
上海电力学院FPGA应用开发课件第五章 高密度PLD及应用。
上海电力学院FPGA应用开发课件第四章 可编程逻辑器件PLD原理和应用。
东北农业大学农业电气化与自动化课件 数字系统设计与PLD应用技术。
国防科学技术大学电子科学与工程学院数字电路课件第八章 可编程逻辑器件（PLD）。
视频：北京交通大学数字逻辑与系统第34讲 PLD的性能特点。
PLD器件的模块化设计方法
硬件设计语言 可编程逻辑设计 模块化设计 ABEL语言
2010/12/29
为了帮助从事电子设计的工程技术人员理清思路,迅速掌握行之有效的PLD设计方法,对PLD器件的模块化设计方法进行了研究.模块化设计方法是从顶层原理图的设计开始,逐个设计下层模块,并逐个编译、调试,由此自上而下完成系统设计,最后组合并编译,生成熔丝图文件以供下载.此外,以Lattice公司的pLSI l016-80 PLCC44为例,通过设计1个具有调校及整点报时功能的数字钟对模块设计方法进行了研究....
基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究
紫外探测器 MgZnO薄膜 脉冲激光沉积
2014/4/30
用KrF准分子脉冲激光沉积（PLD）法，以石英为衬底，在300-600℃温度下沉积MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征，结果表明，在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78eV，以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备了紫外传感器，测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性，以及在365nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320nm；上升...
利用GCR-170型脉冲激光器 Nd：YAG的三次谐波（355nm），以蓝宝石Al2O3 (0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法(PLD)制备了ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）、Raman谱、光致发光（PL）谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的ZnO薄膜进行了测试。分析了在不同衬底温度下薄膜的表面形貌、光学特性，同时进行了薄膜结构和厚度的测试。研究表明：衬底温度对Z...
衬底温度对PLD制备的Mo薄膜结构及表面形貌的影响
脉冲激光沉积 Mo薄膜 表面粗糙度
2009/8/24
运用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)基片上沉积了金属Mo薄膜。在激光重复频率2 Hz，能量密度5.2 J/cm2，本底真空10－6 Pa的条件下，研究Mo薄膜的结构和表面形貌，讨论了衬底温度对薄膜形貌与结构的影响。原子力显微镜(AFM)图像和X射线小角衍射(XRD)分析表明，薄膜表面平整、光滑，均方根粗糙度小于2 nm。沉积温度对Mo薄膜结构和表面形貌影响较大，在373~573 K范围内...
一种同步时序PLD逆向分析数据采集算法
非完全状态图 最短路径 数据采集
2009/7/30
采用逻辑分析法实现加密可编程逻辑器件(PLD)逆向分析的关键是为逻辑综合提供有效、完备的数据集，特别是对时序型PLD，在未知状态图的情况下，如何高效地采集到所有有效状态下的数据，是逆向分析研究的核心问题之一。该文在理论分析同步时序型PLD逆向分析可行性的基础上，提出一种适合多状态、复杂同步时序型PLD的高效数据采集算法，以动态建立非完全状态图为基础，求解状态驱动的最短路径，使得数据采集算法具有理想...
基于PLD的嵌入式系统外存模块设计
存储器 RAM 单片机 闪存
2008/12/3
以MCS-96 系列单片机为例，介绍了一种采用可编程逻辑器件(PLD）的存储器模块的设计方案，该模块包含了Flash闪存和RAM。提出了一种方便的存储器扩展方法，该方法有效地解决了嵌入式系统尤其是数据采集、存储等系统中存在的存储空间不足问题。该方案具有通用性强、读写控制简单等特点，具有很强的实用性。
衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
2007/12/13
摘要 在不同的衬底温度下, 通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜. ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征. 同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性. 实验结果表明, 在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量, 并且表现出很强的紫外发射. 在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中, 还观察到了一个位于4...
PLD法生长高质量 ZnO薄膜及其光电导特性研究
2007/12/13
摘要 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜, 以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌. 结果表明, 随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善. 优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向, 柱状晶垂直衬底表面生长, 结构致密均匀. 以不同暗电阻...