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中国科学院国家纳米科学中心专利：一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 ZnO 薄膜晶体管 修饰 制备方法
2023/6/25
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法
为提高MEMS压电器件的性能，国内外研究人员对ZnO压电薄膜的制备方法进行了优化，掺杂是优化手段之一。研究表明，掺钒ZnO薄膜的压电系数比未掺杂的高一个数量级，其压电系数可达110pm/V。但目前国际上主要采用磁控溅射法制备掺钒ZnO压电膜，这种方法存在掺杂不充分、不均匀、掺杂浓度难以准确控制等问题。
利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载...