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中国科大在InGaAs单光子探测芯片设计制造领域取得重要进展（图）
InGaAs单光子探测芯片 电子工程
2022/11/16
中国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single-pho...
韩国开发新一代快闪存储芯片
韩国 新一代 快闪存储芯片
2017/5/15
存储芯片行业在平面上增加存储数据的存储单元上存在着局限性，人们一直通过纵向堆积的3D技术来扩展容量。例如，韩国SK海力士（Hynix）公司的存储单元最高值为48层。该公司最近公布他们的技术可以将存储单元提升至72层。通过这一技术，该公司成功开发出72层256Gb容量的闪存存储芯片。