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搜索结果: 1-4 共查到电子科学与技术 Silicon carbide相关记录4条 . 查询时间(0.046 秒)
The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) is the premier biennial meeting covering all aspects of the latest SiC research and development. Scientists, en...
This study concentrates on analytical modeling of silicon carbide MESFET device using MATH Lab software. In this study, an analytical simulation has been proposed to find the characteristics of SIC ME...
专著信息 书名 Positron lifetime studies on 8 MeV electron-irradiated n-type 6H silicon carbide 语种 英文 撰写或编译 作者 C. H. Lam,T. W. Lam,C. C. Ling,S. Fung,C. D. Beling,Hang De-Sheng and Weng Huimin 第一作者单位 出版社 J.P...
A formulation for the energy-averaged local valence band density of states of amorphous silicon carbide is derived. To this end, sp3-type hybrid orbitals are employed.

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