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中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展（图）
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/8
近日，中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展，完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估，较原有光源在各项关键指标上有显著提升，保证了先进节点中光刻工艺的稳定性，确保后续研发进程的顺利进行。
2014年12月2—4日，中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持，共分六个主题研修内容，分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3...
像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用...
IDT 推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器 （图）
IDT 全球 全硅 振荡器
2011/10/31
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...
CMOS-MEMS体硅陀螺的系统仿真
陀螺电学模型 CMOS-MEMS体硅陀螺 工艺误差 系统仿真
2014/5/14
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径，但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型，实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真，陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析，从而能够了解它们相互之间的影响，更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。
采用标准LOGIC CMOS工艺制造的新型嵌入式不挥发存储器
存储器 CMOS工艺 不挥发
2008/11/20
2004年，绵阳凯路微电子公司已经启动新型RFID标签芯片产品的项目，在该项目中，采用XPM替代常规的EEPROM。XPM存储器采用有别浮置栅的新型存储机理。XPM技术的物理原理与传统的FLASH（快闪）存储器，ANTIFUSE（反熔丝），PFRAM（Polymeric Ferroelectric RAM，铁电存储器），MRAM（磁存储器）以及Ovonyx（类似于DVD的存储介质）等其它技术有本质...
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源
CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
2008/10/6
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源. 由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV. 通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃. 在电源电压为1.1V时，电源电流为43μA，低频的PSRR为55dB. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm 混合信号工艺验证，芯片面积为0.186mm2.
提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法. 与现有的统计学方法相比，该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁，但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估. 此模型利用统计学的概念将依赖于IC工艺的物理参数抽象为具有确定均值和方差的随机变量，并进一步将所有随机因素累加为离散鞅. 在SMIC 0.18μm CMOS 1P6M 混合信号工艺下，利用工作在100pA~1μA...
微电子所CMOS超宽带射频前端关键芯片研制取得突破性进展（图）
芯片 进展
2011/11/4
超宽带 (UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术，其传输速率可以达到480Mbps甚至更高，主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域，拥有巨大的市场前景。2004年，美国联邦通信委员会(FCC)将3.1-10.6GHz频段划归为UWB的民用频段，此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
CMOS超宽带射频前端关键芯片取得突破性进展
超宽带 频集成电路 芯片
2008/8/6
超宽带(UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术，其传输速率可以达到480Mbps甚至更高，主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域，拥有巨大的市场前景。2004年，美国联邦通信委员会(FCC)将3.1—10.6GHz频段划归为UWB的民用频段，此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
我国在UWB领域也投入了一定的研究，先后得到了国家8...
中国科学院微电子研究所CMOS工艺线顺利交付第一批商业产品
工艺 商业产品
2011/11/4
经过两年的艰苦努力，中国科学院微电子研究所一室CMOS工艺线全体员工克服了经费短缺、设备老化、人员不足的困难，使新的CMOS平台从无到有，初具规模，并于日前成功完成北京奇攀微电子公司第一批４英寸CMOS器件产品订单。首批交付产品经对方检验，性能指标良好，完全达到验收标准。全部产品订单完成后，合同标的总额可达３２０万以上。此项工作的顺利完成，标志着一室CMOS工艺平台调试工作达到了一个新的阶段。
继成功自主开发出我国首款CMOS全球卫星导航接收射频及基带芯片后，近日，微电子所与杭州中科微电子有限公司联合宣布成功研发出我国首款应用于手机的低成本卫星导航接收芯片组，这标志着微电子所在与杭州市高新区开展的院地合作中取得重大成果。