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新年伊始，国家宽禁带半导体工程中心共建单位——陕西半导体先导技术中心迎来了完全自主产权的“龙头”产品——3300V 60mΩ SiC MOSFET的问世，即将于3月份面市。此款产品被命名为“龙头3300-60”，是先导中心和西安电子科技大学经过多年技术积累，攻克各项关键技术难题脱颖而出的佼佼者，也是高校核心技术与企业市场优势完美结合的明星产品。
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院微电子研究所专利：用STI的拐角应力增强MOSFET性能
中国科学院微电子研究所专利：一种MOSFET结构及其制造方法
随着可再生能源的快速发展，储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元，其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块，重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法，并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构，将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH，有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究，...
MOSFET非线性寄生电容对单管谐振正激变换器的影响及其处理
寄生电容 非线性 谐振正激 MOSFET
2024/3/11
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克...
Analysis of 1=f Noise in Switched MOSFET Circuits
1 noise CMOS image sensor nonstationary noise model periodically switched circuits phase noise ring oscillator time-domain noise analysis
2015/8/12
Analysis of 1 noise in MOSFET circuits is typically performed in the frequency domain using the standard stationary 1 noise model. Recent experimental results, however, have shown that the estimates u...
MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 能量输运 数值模拟
2009/10/20
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器。与此同时，该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具，可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。该系列全新的 PowerWise SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器共有 4 个不同型...
存储体单元是静态随机存储器(SRAM)最基本、最重要的组成部分，它在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用。该文采用物理→指数MOSFET模型建立了与SRAM存储体单元相关的功耗，延迟的性能模型，并结合存储体单元面积模型以及可靠性分析，提出了一种存储体单元结构优化方法。实验结果表明采用此优化方法得出的存储体单元结构降低了功耗，访问时间以及面积，与仿真结果相比误差小于1...
A Physical Model for MOSFET Drain Current in Non-ohmic Regime Using Ohmic Regime Operation
MOSFET Velocity saturation Pinch off Conductance Charge
2010/12/8
In order to characterise the velocity saturation phenomena in short channel MOSFET's, a simple method is proposed in this work. It is based on the comparison between transistor behaviour in ohmic and ...