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搜索结果:
1-1
共查到
“
半导体器件与技术 跃迁
”
相关记录1条 . 查询时间(0.062 秒)
引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子
跃迁
超晶格
量子阱
双曲余弦平方势
电子跃迁
2009/1/8
鉴于“方形”势阱过于简单和理想,引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为。在量子力学框架内,把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs-GaAs- Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内
跃迁
和带间
跃迁
。结果表明,能级数目和
跃迁
能量与阱深、阱宽等系统参数有关,只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制。
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