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新年伊始，国家宽禁带半导体工程中心共建单位——陕西半导体先导技术中心迎来了完全自主产权的“龙头”产品——3300V 60mΩ SiC MOSFET的问世，即将于3月份面市。此款产品被命名为“龙头3300-60”，是先导中心和西安电子科技大学经过多年技术积累，攻克各项关键技术难题脱颖而出的佼佼者，也是高校核心技术与企业市场优势完美结合的明星产品。
中国科学院微电子研究所专利：用STI的拐角应力增强MOSFET性能
MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 能量输运 数值模拟
2009/10/20
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器。与此同时，该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具，可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。该系列全新的 PowerWise SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器共有 4 个不同型...