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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/11/28
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
中国科学院声学研究所专利：低噪声CMOS集成参考电压产生电路
北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇教授课题组在《科学》发表5nm碳纳米管CMOS器件研究成果（图）
北京大学信息科学技术学院 彭练矛-张志勇教授课题组 科学 5nm碳纳米管 CMOS器件 集成电路
2017/3/2
集成电路发展的基本方式在于，在晶体管尺寸缩减的前提下，研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前，主流CMOS（互补金属氧化物半导体）技术将达到10 nm（纳米）的技术节点，后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升，“摩尔定律”可能面临终结。20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，以期替代硅基CMOS技术，然而迄今为止，尚未实现10 nm新型CMO...
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第九章 CMOS数字IC的版图设计。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第七章 CMOS基本逻辑单元。
A 640 512 CMOS Image Sensor with Ultrawide Dynamic Range Floating-Point Pixel-Level ADC
Analog-to-digital conversion (ADC) CMOS image sensors digital cameras dynamic range image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level ADC video cameras
2015/8/12
Analysis results demonstrate that multiple sampling can achieve consistently higher signal-to-noise ratio at equal or higher dynamic range than using other image sensor dynamic range enhancement schem...
A Nyquist-Rate Pixel-Level ADC for CMOS Image Sensors
Analog-to-digital conversion cameras CMOS image sensors image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level analog-to-digital converter (ADC) video cameras
2015/8/12
A multichannel bit-serial (MCBS) analog-to-digital converter (ADC) is presented. The ADC is ideally suited to pixel-level implementation in a CMOS image sensor. The ADC uses successive comparisons to ...
On Detection, Analysis and Characterization of Transient and Parametric Failures in Nano-scale CMOS VLSI
Automatic Test Pattern Generation Crosstalk Design-for-Testability Integrated Circuit Intermittent Failure Soft Error
2014/11/7
As we move deep into nanometer regime of CMOS VLSI (45nm node and below), the device noise margin gets sharply eroded because of continuous lowering of device threshold voltage together with ever incr...
西安理工大学半导体集成电路课件第5章 CMOS静态逻辑门（三）。
西安理工大学半导体集成电路课件第5章 CMOS静态逻辑门（一）。
西安理工大学半导体集成电路课件第5章 CMOS静态逻辑门（二）。
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW.
视频：北京交通大学数字逻辑与系统第12讲 CMOS门电路。
Investigation of CMOS Varactors for High-GHz-Range Applications
Investigation CMOS Varactors High-GHz-Range Applications
2009/9/4
This paper explores a variety of different CMOS varactor structures for RF and MMICs. A typical 0.18μm CMOS foundry process was used as the study platform. The varactors' capacitance-voltage character...