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采用浮区法(FZ)在高氧压条件下生长出大尺寸的ZnO单晶晶须. X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)分析结果表明, 生长的ZnO单晶晶须为六方结构晶体, 沿(100)晶面方向有明显的择优生长取向. 研究了0.3 MPa氧压下生长的ZnO晶须的变功率光致发光光谱, 结果表明, 晶须在室温下有比较高的紫外光致发光效率和较低的缺陷, 其紫外发光激发强度的阈值>1 kW/cm2.