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搜索结果: 136-150 共查到知识库 凝聚态物理学相关记录1861条 . 查询时间(5.618 秒)
在SrTiO3(001)衬底上生长SrRuO3后,外延生长的0.95(K0.49Na0.49Li0.02)(Ta0.02Nb0.8)O3-0.05CaZrO3(额外掺杂了2wt%MnO2)无铅铁电薄膜(简称KNNLT-CZM)被系统研究.X射线衍射结果说明KNNLT-CZM薄膜具有较高的质量.X射线光电子能谱(XPS)表明部分K元素没有进入KNNLT-CZM钙钛矿结构晶格中,Mn元素主要以Mn2+...
文章采用共耦合谐振单元结构设计制作了一款高温超导五工器,五工器五个信道的工作频率分别为807.5MHz、810.5MHz、813.5MHz、816.5MHz、819.5MHz,每信道通带宽度均为1MHz.滤波器电路用镝钡铜氧(DyBCO)双面超导薄膜制作,衬底为3英寸0.5mm厚度的氧化镁(MgO)基片.文章给出了高温超导五工器的等效电路、理论曲线、耦合参数、Sonnet软件全波电磁场模拟仿真和实...
采用低能(50eV)大流强的He+辐照多晶钨材料,辐照温度1420±50K,辐照剂量从1.0×1024ions/m2逐渐增加到1.0×1027ions/m2,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、称重等手段分析辐照后钨样品表面微观结构的形貌改变及质量损失的情况,系统的研究了He+辐照剂量对钨纳米丝生长的影响.结果表明,随着He+辐照剂量的增加,钨纳米丝的厚度最终达到饱和,由于辐照后钨表面存在致密的钨纳...
有钙钛矿结构的钌氧化物是一种典型的电子关联体系,对其化学掺杂后将表现出丰富的新奇磁学性质。我们采用传统的固相反应法制备了钙钛矿型CaRu0。5Ti0。5O3块材(CRTO)。相比于母体材料CaRuO3的顺磁性,CRTO表现出截然不同的铁磁-顺磁转变,居里温度为45K。根据对CRTO的晶体结构分析,我们发现Ti元素的掺杂会导致氧八面体旋转畸变的减弱,可能导致Ru离子之间的交换作用变强。我们同时还进行...
金刚石纳米柱是实现色心单光子源增强的有效结构,而纳米柱结构尺寸决定泵浦光对色心的激发强度。本文为提高其激发效率,采用时域有限差分法(FiniteDifferenceTimeDomain,FDTD)研究金刚石纳米柱的光学性质。通过仿真分析了纳米柱直径和高度对内部电场强度的影响。结果表明,在泵浦光波长为532nm时,纳米柱内部中轴线上场强受尺寸变化影响较大,当直径不变、改变高度时,场强最大值随高度周期...
在全电荷自旋重组的模型下,计算了铜氧化物高温超导体正常态的光电导性质,发现在欠掺杂和最佳掺杂区,铜氧化物高温超导体正常态的光电导谱由低能端的non-Drude峰和较高能量处的中红外带两部分组成,低能峰和中红外带之间存在电荷转移能隙。随着掺杂量的增加,中红外带不断移向低能峰,最后在极过掺杂时完全融入低能峰,光电导谱恢复为Drude形式。全电荷自旋重组模型下的自能体现了部分关联效应,包含了赝能隙的信息...
利用有效场理论研究了纳米管上外磁场中Blume-Capel模型格点的磁化强度、磁化率、内能、比热和自由能,得到了系统格点的磁化强度、磁化率、内能、比热和自由能与外磁场和晶场的关系。结果表明:外磁场强度、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比没有外磁场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁学特性;外磁场能够增大系统格点的磁化强度,导致系统的二级相变消失;负晶场作用系统时,系统...
作为集成电路的重要组成器件,双极结型晶体管在高速高频等方面有着互补金属氧化物半导体不能替代的优点.由于常规双极结型晶体管在低温环境中增益骤降,器件性能大幅衰减,故双极结型晶体管低温性能的研究较少且仅限于77K以上的温度.本文对在绝缘体上硅衬底上制造的与CMOS工艺相兼容的对称水平双极结型晶体管进行了4.2~300K宽温度范围的变温直流性能的测试,研究了施加正向衬底偏压对器件性能的影响,并探究了基于...
通过脉冲激光沉积在(111)取向钇稳定的氧化锆(YSZ)衬底上制备了氧化钙(CaO)薄膜。室温下磁滞回线的实验观测数据表明CaO薄膜具有明显的铁磁性。X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明,CaO薄膜为(111)取向,没有杂质相。在高真空条件下生长和退火的CaO薄膜都表现出铁磁性磁化行为,而在相应的CaO靶材上没有检测到这种铁磁性。结果表明,氧空位浓度与氧化钙薄膜的磁化强度之间存在一定的相关性,后退...
采用自牺牲法制备K1-xCaxNbO3(x=0-0.2)陶瓷样品,研究Ca2+ 掺杂对KNbO3 的晶体结构,介电和磁性的影响.XRD分析表明所有样品均属于空间群为Amm2的单相正交晶系,SEM 表明Ca2+ 掺杂对KNO 样品的微观形貌和晶粒尺寸有明显的调控作用.在KNbO3 的εr-T中观察到两个转变,第一转变在213℃,第二转变在424℃,分别对应正交相到四方相转变和四方相到立方相的铁电相变...
场效应晶体管(FET)可以通过电场可逆调控材料的载流子浓度,是一种控制二维材料系统电学性质的有效方法。最近,作者实验室发明了一种新的场效应晶体管器件,它利用固体离子导体(SIC)作为栅介质,通过电场驱动锂离子进出样品来调控样品的载流子浓度,从而控制样品的物理性质和相变。在本论文中,作者利用这种新型的固体离子导体基场效应管器件(SIC-FET)成功地调控了ZrNCl薄层的电学性质。通过施加电场,将固...
根据高μ子源超导俘获线圈整体测试系统的要求,设计了μ子源超导俘获线圈测试杜瓦系统。包含液氦杜瓦、真空杜瓦及绝热冷屏,采用Solidworks软件对测试杜瓦系统进行3D建模。通过对绝热冷屏统进行了详细的传热学计算,绝热冷屏的可以满足μ子源超导俘获线圈测试过程的漏热需求;根据μ子源超导俘获线圈测试实际工况,对真空杜瓦和液氦杜瓦进行了Ansys有限元软件分析与校核,得到杜瓦详细的应力及变形结果,分析表明...
高温超导体因其无源自稳定的特性,受到许多学者的重视,具有广阔的应用前景。目前针对高温超导块材悬浮性能的研究主要集中于由永磁体产生的低磁场环境。本文基于超导磁体平台提供的强磁场环境,通过改变高温超导块材不同的场冷高度,实验研究了高温超导块材悬浮力与垂向磁场变化量的关系。研究结果表明随着垂向磁场变化量的增加,高温超导块材的悬浮力增长趋缓,并最终出现悬浮力饱和的现象。本文还对比了YBCO和Gd-BCO两...
采用氧化固相法制备了(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBa(Ti0.95Zr0.05)O3(BNT-BZT)陶瓷,其中掺入量x的值分别为0,0.04,0.05,0.06,0.07.研究了BNT-BZT体系陶瓷的准同型相界以及陶瓷材料的微观结构和性能之间的关系,并探讨了陶瓷的介电性能和铁电等性能.通过探究Ba(Ti,Zr)O3(BZT)掺杂量对BNT各性能的影响得出了当掺杂量x=0.05...
超导纳米线单光子探测(SuperconductingNanowireSinglePhotonDetector,SNSPD)阵列可以实现单光子成像或高速单光子探测,如何有效对SNSPD阵列进行信号读出是实现SNSPD阵列的关键技术之一,本工作设计了一种基于超导单磁通量子(SingleFluxQuantum,SFQ)的SNSPD阵列读出电路,该读出电路能够实现对阵列中SNSPD的地址分频,实验采用的核...

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