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论文对采用化学气相沉积法在不同高温条件下生长的一组 3C-SiC/4H-SiC薄膜的光学和表面特性进行了深入研究。通过X射线衍射、X射线光电子能谱和拉曼散射光谱评估生长温度对薄膜形貌、光学和材料性能的影响。通过分析X射线衍射和拉曼散射光谱得到外延生长温度对薄膜结晶质量有显著影响。X射线光电子能谱表征了Si、C、O 元素的表面态以及随外延生长温度的变化。研究结果发现 3C-SiC拉曼横向光学声子模随...
中国科学院物理研究所宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展
宽带隙半导体 SiC非磁性掺杂 进展
2009/2/13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室陈小龙研究组采用非磁性Al元素对SiC进行掺杂，获得了Al掺杂的4H-SiC单相样品。磁性测量结果表明，通过掺杂Al元素（~0.75atm%）在样品中建立了长程磁有序和自旋玻璃共存的现象，即玻璃态铁磁性。一种可能的解释为：Al原子最外层为3个电子，比Si最外层少1个电子，通过Al元素的掺入，在SiC中引入了未成对电子，导致自旋磁矩的存在。这些自旋磁矩通...