搜索结果: 1-5 共查到“知识要闻 理学 Rashba”相关记录5条 . 查询时间(0.062 秒)
北京大学物理学院杨金波课题组与合作者揭示轨道Rashba-Edelstein磁电阻效应(图)
电流诱导力矩 自旋电子学 新型高性能磁存储器件 轨道Rashba-Edelstein磁电阻效应
2022/3/2
电流诱导力矩可以高效地实现电流驱动的磁畴壁移动及磁矩翻转,在自旋电子学领域具有重要的研究意义,有望实现新型高性能磁存储器件。目前,大多数研究关注于具有强自旋轨道耦合的重金属体系,流过重金属中的电流通过自旋霍尔效应产生自旋流,自旋流与铁磁磁矩交换角动量进而诱导自旋轨道力矩。然而,不具备强自旋轨道耦合的轻金属体系一般不能观测到自旋霍尔效应,因此轻金属材料中很难产生强的自旋轨道力矩效应。在材料中,除了自...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱(ARPES)测量结果显示,α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构,其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ,对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett. 21...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M04课题组利用分子束外延(MBE)方法,实现生长不同厚度的铁电半导体GeTe薄膜,并对不同厚度的薄膜进行角分辨光电子能谱(ARPES)的测量。研究表明,随着薄膜厚度降低,体Rashba系数逐渐降低,满足标度律,三维Rashba效应的临界厚度为2.1(±0.5)nm,与ARPES测得的2.5 nm薄膜结果一致。在厚度为5.0nm时,...
针对如何获得自旋极化二维电子气,如何实现对电子气的高效调控等问题,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室孙继荣团队展开了系统深入的研究,先后发现光激发与栅极电压结合会产生协同效应,使栅极电压对界面电子气的调节效应强化了两个量级(Nat. Commun. 5, 5554 (2014))。随后,他们利用EuO对二维电子气的磁邻近效应,成功地在EuO/KTaO3界面获得了强磁...
Science Advances刊登韩伟课题组关于全氧化物界面Rashba二维电子气中自旋和电荷转换的研究工作(图)
Science Advances 韩伟课题组 全氧化物界面 Rashba 二维电子气 自旋 电荷转换
2017/3/24
近日,北京大学量子材料科学中心韩伟课题组与中科院物理所孙继荣课题组合作,对Rashba自旋分裂的二维电子气进行了自旋注入和自旋电荷转换的研究,并在室温成功地发现逆Edelstein效应产生的自旋信号。该工作被Science Advances杂志以标题“Observation of Inverse Edelstein Effect in Rashba-Split 2DEG between SrTiO...