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搜索结果: 1-15 共查到知识库 理学 SiC相关记录50条 . 查询时间(0.057 秒)
由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要。本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态密度计算方法,研究了石墨烯作为过渡层对不同金属(Ag,Ti,Cu,Pd,Ni,Pt)/SiC接触的SBH的影响。计算结果表明,单层石墨烯...
为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(HighIntensityDeuterium-TritiumFusionNeutronGenerator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,12C(n,α0)9Be特征峰的半峰全宽(FullWidthatHalfMaximum,FWHM)为190?...
We present the first results of a high-spectral-resolution survey of the carbon-rich evolved star IRC+10216 that was carried out with the HIFI spectrometer onboard Herschel. This survey covers all HIF...
利用凝胶注模成型工艺制备了1.5 m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明:在最佳分散条件下,通过合理的颗粒级配,成功制备得到了固相含量高达65%,流动性良好的SiC陶瓷浆料。另外,随着固相含量的增加,SiC陶瓷浆料黏度急剧增大;随着混料时间的延长,浆料黏度出现先...
采用磁控溅射法在Si(100)基底上镀制了膜系结构分别为[Mg/Co]20、[Mg/SiC]20的两组多层膜,以研究Mg基多层膜的稳定性。对放置在室温和80%相对湿度环境下的样品进行显微镜、表面粗糙度和X射线掠入射反射率测试,对比研究了Mg/Co和Mg/SiC两种多层膜结构在相同环境中的损坏状况。对比结果显示:放置4天后,Mg/SiC损坏面积为26.34%,表面粗糙度为10 nm;Mg/Co的损坏...
Cooperative communication is an important technology in next generation wireless networks. Aside from conventional amplify-and-forward (AF) and decode-and-forward (DF) protocols, the partial decode-an...
In this article, we have carried out the Ni based self fluxing alloy powder and studied the effect on the laser alloying of 45steel layer which contains different weight percentage of nano-SiC powders...
The morphology of graphene formed on the ( 0001 ) surface (the C-face) and the (0001) surface (the Si-face) of SiC, by annealing in ultra-high vacuum or in an argon environment, is studied by atomic ...
Materials with good carrier mobilities are desired for device applications, but in real devices the mobilities are usually limited by the presence of interfaces and contacts. Mobility degradation at s...
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We discuss the use of dichlorosil...
本文阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池。利用Schottky结取代常用的p-n结,在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试,得到了开路电压VOC为0.25V、短路电流密度JSC为7.64nA/cm2和输出功率密度Pmax为1.12nW/cm2。在对4H-SiC肖特基结研制过程中的一些关键工艺进行研究之后,采用XRD法对欧姆接触成分进行了分析,结果表明形成了...
以有机金属聚合物聚铝碳硅烷为原料, 利用先驱体转化法制备出连续SiC(Al)纤维. 采用一系列分析测试对纤维的组成、结构以及耐超高温性能进行了表征, 通过与Nicalon纤维的比较, 对连续SiC(Al)纤维的耐超高温机理进行了研究. 结果表明, 连续SiC(Al)纤维具有优异的耐超高温性能,在1800 ℃氩气中处理1 h后, 纤维的强度保留率为80%左右; 元素分析和27Al MAS核磁共振等分...
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1 nm)Ge, 在衬底温度900 ℃, 生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品进行了研究. 结果表明, 预沉积少量Ge(0.2 nm)的样品, SiC薄膜表面没有孔洞存在, AFM显示表面比较平整, ...
用常规XPS、小面积XPS和成象XPS研究了三维编织的C/SiC纤维复合材料.结果表明,在燃气中灼烧后材料表面生成的暗红色反应是由于层中的SiC已氧化成氧化硅,同时反应层中还引入了杂质Fe、Na、Ca和Al;在反应层下Si以元素SiSiC和氧化硅多种形式存在.块材横截面的多点小面积XPS分析结果表明,元素硅的相对浓度随深度增加而减少, SiC的相对浓度则随深度增加而增加.块材横截面的成象XPS分...
结合毛细管微模塑技术、模板技术和先驱体转化技术, 以图案化聚二甲基硅氧烷(PDMS)弹性体为模具,以氧化硅凝胶小球为模板, 以液态聚碳硅烷(PCS)为先驱体, 经过氧化硅凝胶小球图案化模板的形成, 先驱体的渗入, 模板中先驱体的交联, 弹性模具的去除, 图案化先驱体的无机化和模板的去除, 制备了图案化多孔SiC 陶瓷.研究结果表明:所制备的图案化多孔陶瓷中, 图案的尺寸受图案化PDMS 弹性模具的...

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