搜索结果: 1-9 共查到“知识库 光学 Al2O3”相关记录9条 . 查询时间(0.171 秒)
采用CO和NO作为探针分子,应用原位红外光谱法(in-situ FT-IR)和程序升温还原(H2-TPR)对Mo/γ-Al2O3和Co-Mo/γ-Al2O3加氢催化剂进行表征,并对催化剂进行了加氢脱硫(HDS)活性评价。实验结果表明,在Co-Mo/γ-Al2O3催化剂表面存在三个吸附位;在Mo/γ-Al2O3催化剂中加入助剂钴对钼吸附位起到显著的改性作用,并且引入新的活性中心,提高了催化剂的催化活...
应用晶体场理论和不可约张量算符方法构造了3d2/3d8态离子在C3v对称晶场中包含自旋-轨道相互作用、自旋-自旋相互作用、自旋-其它轨道相互作用和其它轨道-其它轨道相互作用四种微观磁效应的45阶可完全对角化的能量哈密顿矩阵.利用该矩阵,计算了V3+∶α-Al2O3和Ni2+∶α-Al2O3晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量,研究了掺入两种互补态离子Ni2+和V3+对同种晶体的光谱精细结...
摘要：采用共沉淀法制备了纳米晶ZrO2-Al2O3：Er3+发光粉体，所制备的粉体室温下具有Er3+离子特征荧光发射，主发射在绿光，其中位于绿光547，560nm的绿光最强。并得出稀土离子与基质之间有能量传递。对不同煅烧温度下的样品研究表明：因不同温度下所制得的样品晶相不同。研究了纳米晶ZrO2-Al2O3：Er3+及ZrO2-Al2O3：Er3+ /Yb3+的上转换发光。并分析了上转换的跃迁机制...
主要研究了110keV的He+高温注入Al2O3单晶及1.1MeV/u的208Pb27+辐照注氦Al2O3样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375nm, 413nm和450nm处出现了强烈的发光峰. 并且在600K, 5×10sup>16ions/cm2剂量点, 样品的发光峰是最强的. 这表明He+注入Al2O3后使带隙中深的辐射中心复合的效率大幅度提高, 极大的增强了其发光强度,...
阶跃掺杂Er∶Al2O3光波导放大器增益特性数值模拟
集成光学 掺铒Al2O3光波导放大器 纵向阶跃掺杂 净增益
2007/12/18
构建了纵向阶跃非均匀掺杂的掺铒Al2O3光波导放大器理论模型，利用有限元法、速率方程和传输方程，数值模拟了放大器的净增益特性.计算结果表明：阶跃掺杂掺铒Al2O3光波导放大器提高了抽运效率，净增益和信号光输出功率比优化后的均匀掺杂光波导放大器分别提高了9.2%和90.5%，长度却缩短了16.9%.
镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光特性优化
光波导放大器 Yb3+/Er3+共掺Al2O3薄膜 中频磁控溅射 光致发光光谱
2007/12/8
用中频磁控溅射方法在SiO2/Si基底上制备了五组固定掺铒浓度不同镱铒浓度比率的镱铒共掺Al2O3薄膜样品.室温下测量了薄膜在1.430 μm~1.630 μm波段范围内光致发光光谱.研究发现,镱的掺入有效地提高了三价铒离子的光致发光强度,最优的镱铒掺杂为：掺铒0.33 mol%,Yb3+∶Er3+=10∶1,比相同掺铒浓度单掺铒样品光致发光峰值强度增强40倍；确定的掺铒浓度,有着固定的最佳镱铒浓...
Sol-gel法制备Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3粉末光致发光特性
2007/8/20
采用异丙醇铝[Al(OC3H7)3]为前驱体,溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3粉末.实验结果表明:900 ℃烧结的粉末为固溶Er3+、Yb3+的γ-(Al,Er,Yb)2O3相和少量θ-(Al,Er,Yb)2O3相的混合物.Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3粉末具有中心波长为1.533 μm的光致发光(PL)特性.1 mol % Er3+和1 mol% Yb3+...
Pressure-Induced Shifts of Energy Spectra of
α-Al2O3:Mn4+
crystal fields energy spectrum
optical properties high-pressure effect
α-Al2O3:Mn4+
2007/8/15
2002Vol.37No.1pp.111-116DOI:
Pressure-Induced Shifts of Energy Spectra of
α-Al2O3:Mn4+
MA Dong-Ping,1,2 CHEN Ju-Rong1 and MA Ning3
1 Department of Applied Physics, ...
Photoluminescence Characterization of Al/Al2O3/InP MIS Structures passivated by anodic oxidation
Indium phosphide MIS structures Photoluminescence
2010/4/12
Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were produced by electron beam evaporation of Al2O3 on InP. Polyphosphate thin films of thickness 100-150 Å were used to passivate the interface In...