搜索结果: 1-3 共查到“知识要闻 物理学 SOI”相关记录3条 . 查询时间(0.128 秒)
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破（图）
晶圆制造 薄膜沉积
2023/12/3
2023年10月20日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重...
中国科学院近代物理研究所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展（图）
中国科学院近代物理研究所 离子联合 单晶硅 SOI材料
2011/10/19
中国科学院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理获得进展。
