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中国科学院超导量子芯片模拟多种陈绝缘体研究取得进展（图）
超导量子芯片 陈绝缘体 拓扑物态
2023/10/2
量子霍尔效应是凝聚态物理学中的基本现象。科学家发展了拓扑能带理论来研究此类拓扑物态，发现了量子霍尔系统的能带结构和系统的边界态密切相关即存在体相与边缘的对应，并利用陈数（雪恩号码）来区分不同的拓扑结构，以陈绝缘体来描述相关拓扑物态。陈绝缘体材料可通过第一性原理计算预测以及实验合成并检测，过去几年出现了系列创新性成果，有望发展出具有实用价值的器件。
中国科学院物理研究所超导量子芯片模拟多种陈绝缘体（图）
超导量子芯片 绝缘体 拓扑物态
2023/10/26
量子霍尔效应是凝聚态物理学中的基本现象，人们发展了拓扑能带理论来研究此类拓扑物态，发现量子霍尔系统的能带结构是和系统的边界态密切相关的，即存在体相与边缘的对应，并利用陈数（Chern number）来区分不同的拓扑结构，以陈绝缘体来描述相关拓扑物态。陈绝缘体材料可通过第一性原理计算预测，实验合成并检测，过去几年出现了系列创新性成果，并有望发展出具有实用价值的器件。
中国科大在光量子芯片领域取得重要进展（图）
光量子芯片 拓扑绝缘体芯片
2022/11/20
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在光量子芯片研究中取得重要进展。该团队任希锋研究组与中山大学董建文、浙江大学戴道锌等研究组合作，基于光子能谷霍尔效应，在能谷相关拓扑绝缘体芯片结构中实现了量子干涉，相关成果以“编辑推荐文章( Editors' Suggestion)”的形式6月11日发表在国际知名学术期刊《物理评论快报》上。
三维芯片热分析自适应算法研究及并行软件研制取得进展（图）
三维芯片 适应算法 软件研制
2021/9/1
三维芯片作为一种全新的集成电路芯片结构，具有集成度高、功耗低、带宽高、面积小、互连线短、支持异构集成等特点，成为延续集成电路摩尔定律的有效途径之一，引起了诸多工业厂商和研究机构对其的重视。三维芯片将不同电路单元制作在多个平面晶片上，并通过硅通孔（Through Silicon Vias,TSV）层间垂直互连技术将多个晶片堆叠互连（如图1）。层叠使得散热问题成为三维芯片设计的首要问题，过高的发热量和...
生物芯片中周期性电渗驱动液体薄膜的流动特性
双电层 自由面 周期性电渗流 雷诺数
2014/3/3
研究了二维周期性电渗驱动液体薄膜的流动特性. 以Debye-Hückel 假设近似下线性化的Poisson-Boltzmann方程描述双电层电动势分布和电荷密度的分布关系, 与黏性不可压缩流体Navier-Stokes方程相耦合, 得到流体在自由面与固壁之间的周期电渗流流场的精确解. 结果显示, 薄膜内速度振幅与流体黏性密切相关, 雷诺数越大, 速度振幅就越小. 该文还细致分析了雷诺数和自由面ζ电...
利用能量法分析无标记生物检测中基因芯片的纳米力学行为.首先，考虑微悬臂梁机械能、基因层静电能、水合能和构型熵，建立基因芯片能量模型;其次，利用能量最小原理，得到芯片稳态弯曲的曲率半径与表面应力之间的关系;最后，预测种植密度对芯片表面应力的影响，同时将预测结果与有关实验数据进行比较，证明该方法的可靠性.
生物芯片无阀压电微流体泵流场数值研究
微流体泵 扩散管 有限元
2008/2/11
卷期页码：第26卷 第8期
(2005年8月) P.937
文章编号：1000-0887(2005)08-0937-08
生物芯片无阀压电微流体泵流场数值研究
张永立，吴健康
华中科技大学 力学系，武汉 430074
摘要：采用浅水波模型把浅薄形微泵的三维流动近似为二维厚度平均流动, 并采用有限元/压强修正法求解水平流场和计算微泵流量A·D2数值结果表明：1) 在微泵扩散管的过...