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基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
超晶格概念自1970年一提出，就被认为是半导体物理领域一个具有里程碑意义的进展，在上世纪80年代和90年代成为半导体物理十分热门的研究领域。超晶格中微带输运和量子阱之间的级联共振隧穿会导致负微分电导效应，这使得超晶格成为一个理想的具有多个自由度的非线性系统。许多与空时非线性效应相关的物理现象都能在超晶格中观测到，如静态电场畴、周期性自激振荡、自发混沌振荡等。一直以来，这些现象都只能在液氮温区以下的...
半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究
2007/8/20
从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质，以GaAs/AlxGa1－xAs超晶格为例进行数值计算，分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量（阱宽，垒宽，势垒高）的变化关系计算表明：随着入射光光子能量的变化，出现非对称的吸收峰；光强只改变吸收系数大小；超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率随着超晶格阱宽（垒宽）的增大，吸收谱由宽变窄，吸收峰红移...
半导体超晶格国家重点实验室
半导体超晶格国家重点实验室 量子结构 光电子 光子器件 凝聚态物理
2007/12/28
半导体超晶格国家重点实验室（National Laboratory for Superlattices and Micrstrctures）在黄昆院士的倡导下于1988年3月开始筹建，1990年对外开放，实验室拥有黄昆、郑厚植、夏建白三位院士，现有固定人员25人，其中研究人员18人，技术人员6人，管理人员1人。实验室近期主要研究内容包括：量子结构、量子器件中的物理过程。基于量子结构的新型光电子、光...