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中国科学院半导体所在异质外延生长新技术方面取得重要进展（图）
芯片材料 原子 沉积
2024/4/22
高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制，已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而，在半导体外延制造过程中，芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免，严重影响了芯片的性能和良率。
二维共轭聚合物(2DCPs)是一类新型的半导体材料体系，其独特的拓展二维共轭结构，预示其优异的光电特性，在有机电子学领域具有重要应用前景。然而，目前报道的大多数2DCPs材料的光电性能仍然相对较差，同时具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的研究报道很少。造成该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其往往不发光或者荧光特性差。
国家纳米科学中心层状半导体中非平衡双曲等离激元的全光超快调控（图）
层状半导体 等离激元 凝聚态物理
2024/2/25
光与物质相互作用产生的包含极化电荷集团振荡的杂化电磁模式称为极化激元，通过极化激元可实现纳米尺度的光局域和光调控。2024年来，各向异性的层状材料为极化激元调控提供了灵活的维度，成为极化激元中的重要平台。在各向异性材料中，介电张量为均为正值的体系支持各向异性光学波导。而当同时具备正负值的介电张量时，范德华层状材料的光学等频面为开放的双曲面形并支持双曲极化激元。双曲极化激元在超分辨成像、高灵敏探测、...
苏州纳米所张其冲等合作Nature：通过机械设计制备高质量半导体纤维（图）
张其冲 机械设计 半导体纤维
2024/4/10
纤维技术的最新突破将具有紧密界面的功能材料在一维限域空间内实现精准组装。由于半导体是控制器件性能的关键组件，因此纤维内部半导体的选择、控制和工程化是实现高性能功能纤维的关键途径。由于加工温度低和流体行为可控，玻璃状半导体通常用于热拉光纤。然而，与电子领域最广泛使用的晶体半导体（例如硅和锗）相比，它们不可避免的高密度电子缺陷导致所制造的纤维的电性能较差。因此，晶体半导体的使用更有利于从根本上推动功能...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
This paper discusses the algorithm and error estimates for solving space inhomogeneous semiconductor Boltzmann equations with multi-valley, which describe the transport properties of carriers in semic...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 半导体 激光云 自动测量仪 光机系统
2023/11/16
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
近日，美国光学学会（Optica）宣布了2024年度新当选会士（Fellow）名单，来自26个国家的129名科学家新当选为美国光学学会会士（Optica Fellow）。中国科学院半导体研究所李明研究员因其在微波光子信号产生和可编程光学信号处理研究领域开创性的贡献（For pioneering contributions to microwave photonic signal generatio...
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究中取得进展（图）
半导体超晶格 莫尔异质 激子研究
2023/10/2
2023年9月25日，新加坡南洋理工大学教授高炜博与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoS2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，建立了DAP IX的动力学模型，解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以《MoS2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主对激子》（M...
聚合物半导体在可穿戴设备、健康监测、疾病诊断等新型领域中呈现出巨大的应用前景，基于聚合物半导体的柔性电子学是蕴含重大科学创新机遇的新领域。通常优异的电荷输运性能要求聚合物材料具有高结晶性，然而强结晶性会导致材料拉伸力学性能低。因此，设计合成高迁移率可拉伸的聚合物半导体极具挑战性。
中国科学院大连化物所实现半导体光催化硼化反应（图）
半导体 光催化剂 硫化镉纳米
2023/9/1
2023年8月24日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和硼取代产物。
氮杂环卡宾硼烷（NHC-BH3）由于化学性质稳定且制备方法简单，20...
中国科学院半导体研究所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
各向 异性平面 能斯特效应
2023/8/3
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法