搜索结果: 46-60 共查到“物理学 半导体”相关记录474条 . 查询时间(0.247 秒)
最近，中国科学院半导体研究所谭平恒研究组与南方科技大学的梅佳伟教授研究组合作，利用超低频和偏振拉曼光谱技术深入研究了梅佳伟教授研究组所生长的单晶 Cu3Zn(OH)6FBr的晶格结构和磁激发特性，为揭示量子自旋液体的自旋子激发提供了充分的证据。
本文结合近场扫描结构和纳米线-微光纤耦合技术，提出了一种基于硫化镉纳米线/锥形微光纤探针结构的被动近场光学扫描成像系统。该系统采用被动式纳米探针，保留了纳米探针对样品表面反射光的强约束优势。其理论收集效率为4.65‰，相比于传统的金属镀膜近场探针收集效率提高了一个数量级，可有效地提高扫描探针对样品形貌信息的检测能力；而后通过硫化镉纳米线与微光纤之间高效的倏逝场耦合，将检测的光强信号传输到远场进行光...
中国科大实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控（图）
硅基半导体 自旋量子比特
2022/11/17
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得重要进展。该团队郭国平教授、李海欧研究员与中科院物理所张建军研究员等人，和美国、澳大利亚的研究人员及本源量子计算公司合作，实现了硅基自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。研究成果以“Ultrafast coherent control of a hole spin qubit i...
二维磁性材料自2017年被发现以来，已成为物理学及相关领域的研究热点之一。单层二维磁性材料因具有原子级厚度，为研究极限厚度下光与物质相互作用和相关磁光电现象提供了平台；另外，二维磁性材料因具有层状结构，可与其他材料形成范德华接触，为构建种类丰富的高性能磁光电器件提供了可能，在下一代信息技术领域具有广阔的发展前景。
在新型二维类金属半导体中实现五重低能电荷态（图）
二维类金属 半导体 五重 低能电荷态
2023/1/6
半导体中的孤立缺陷在带隙中形成易于探测和操控的缺陷态。在单缺陷态中对多重量子态的操控，可以用来实现量子计算或者存储的最小量子比特。另外，如果对单原子的孤立能隙态进行操控，还有可能获得非传统的量子光源，在量子密钥分发、量子中继和量子传感等方面具有潜在的应用。孤立缺陷具有电荷和自旋两种可被操控的自由度，以往的研究主要专注于对自旋量子态的操控，但是对自旋量子态的操控需要用到磁场等外场，难以实现未来量子芯...
半导体/半导体结被广泛应用于量子点敏化太阳电池、钙钛矿太阳电池、光催化、光电催化等太阳能转换与存储领域。在之前的研究中，通常采用能带排列理论解释其界面电荷传输行为(图1a-b)。然而，根据传统理论计算的太阳电池开路电压低于实验值，且无法解释光催化和光电催化中的若干实验结果。因此，建立半导体/半导体界面电荷传输新理论，有助于理解这些反常实验现象，也对增加光电转化性能和开发新型半导体器件具有非常重要的...
中国科学院半导体研究所2022年硕士生招生报考指南
中国科学院半导体研究所 硕士生 报考指南
2022/9/28
中国科学院半导体研究所2022年预计招收硕士研究生119名，其中推荐免试硕士生预计招收83人，全国统考硕士生预计招收36人。推荐免试硕士生实际招收人数以教育部推免服务系统完成录取程序的人数为准，并将于推荐免试生招生录取工作结束后在半导体所网站进行推免生拟录取名单公示。受后期正式招生计划下达数及推荐免试硕士生实际录取人数的影响，可能会出现全国统考硕士生实际招生人数与预计招收计划人数不一致的情况。目录...
中国科学院化学研究所发展出有机高分子半导体高效图案化新策略（图）
有机高分子 半导体 高效图案化
2022/9/22
近年来，高迁移率的有机高分子半导体的设计合成研究取得进展。然而，真正将有机高分子半导体的可溶液加工、柔性这些独特性质应用在集成电路中，仍面临困难。在集成电路中，半导体的图案化可以降低栅极漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。而当前针对有机高分子半导体的大面积、高集成度的图案化方法较少。此外，器件在全溶液加工过程中涉及的多种材料对非正交溶剂的耐受性较差，上层材料的加工过程会破坏下层材料。利...
中国科学院物理研究所半导体光解水的微观动力学机制（图）
半导体；光解水；微观动力学
2021/10/11
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理国家重点实验室SF10课题组的孟胜研究员、张萃副研究员、王恩哥院士等在Nano Letters上以封面论文的形式发表了关于石墨相氮化碳光解水的非绝热动力学机制的最新研究成果（图1），运用含时密度泛函理论动力学方法，研究了在聚合物半导体表面发生的光解水中的电子转移和化学键断裂/形成的超快动力学过程。
1951年，我国著名科学家和教育家黄昆先生在英国工作期间提出声子极化激元的经典理论，极大的促进了各类极化激元概念和理论的建立及实验方面的进展。极化激元的本质是由固体中的元激发与光子在强耦合作用下形成的杂化准粒子，有声子极化激元、激子极化激元、表面等离极化激元等不同的类型。在半导体材料中，激子作为一种典型的元激发可与光子强耦合形成半光子半物质的相干叠加态—激子极化激元。激子极化激元同时继承了激子和光...
中国科学院大学2022年硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲。
中国科学院大学2020年硕士研究生入学考试第四单元统一命题半导体物理试题。
半导体量子芯片比特获得高灵敏测量
半导体 量子芯片 量子计算
2021/5/11
记者5月10日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作，利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果日前发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。
中国科大在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展（图）
微波谐振腔探测 半导体量子芯片
2022/11/20
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展。该团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作，利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果以“Microwave-resonator-detected excited-state spectroscopy”为题，发表在2021年4月28日出版的国际应用物理知名期刊《Physical Rev...