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重庆邮电大学光电工程学院/重庆国际半导体学院是学校办学历史悠久的院系之一。以原无线电工程系电磁场与微波技术、光学工程相关学科专业为基础,合并原电信工程系电工电子基础教研部,2001年成立了光电工程学院。为加强微电子集成电路人才培养,经重庆市人民政府批准,2010年成立了重庆国际半导体学院。秉承“修德、博学、求实、创新”的校训和“博闻、笃志、敬天、爱人”的院训,学院立足电子信息行业、服务地方经济发展...
全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议,最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开,每两年举行一次(奇数年召开),与两年一次的国际半导体物理会议(偶数年召开)交错进行。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流,把握国际重大前沿领域的发展动向,提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。
最近,中科院合肥研究院强磁场中心的高压研究团队与郑州大学的李新建教授合作,利用高压研究手段在三元黄铜矿光伏半导体光学、电学性质的调控研究中取得重要进展,相关研究成果以“Pressure-engineered optical properties and emergent superconductivity in chalcopyrite semiconductor ZnSiP2”为题,发表在Spr...
日前,由《半导体学报》组织评选的2020年度(首届)中国半导体十大研究进展揭晓。北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室的两项合作研究成果“通讯波段的高性能钠基等离激元纳米激光器”和“米级高指数晶面单晶铜箔库制造”荣膺榜单第四、五位。其中:
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱(ARPES)测量结果显示,α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构,其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ,对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett. 21...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M04课题组利用分子束外延(MBE)方法,实现生长不同厚度的铁电半导体GeTe薄膜,并对不同厚度的薄膜进行角分辨光电子能谱(ARPES)的测量。研究表明,随着薄膜厚度降低,体Rashba系数逐渐降低,满足标度律,三维Rashba效应的临界厚度为2.1(±0.5)nm,与ARPES测得的2.5 nm薄膜结果一致。在厚度为5.0nm时,...
成都信息工程大学2021年硕士研究生入学考试自命题半导体物理考试大纲。
2021年中国科学技术大学硕士招生考试部分科目半导体物理考试大纲。
南京邮电大学2021年硕士研究生半导体物理考试大纲。
宁波大学2021年博士研究生自命题半导体物理考试大纲。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M08组研究员龙有文团队在高压制备的简立方钙钛矿SrCr0.5Fe0.5O2.875(SCFO)中,发现临界温度达600 K的磁有序相变,该体系具有约2.3 eV的直接半导体带隙,并展示出磁场可调的绿色发光效应。
华北电力大学2021年博士研究生初试3502半导体物理大纲。
宁波大学2020博士入学考试半导体物理真题。

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