搜索结果: 1-15 共查到“知识库 物理学 半导体”相关记录71条 . 查询时间(0.117 秒)
This paper discusses the algorithm and error estimates for solving space inhomogeneous semiconductor Boltzmann equations with multi-valley, which describe the transport properties of carriers in semic...
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而，目前印刷的二维晶体管，受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
分布式声传感（Distributed Acoustic Sensing, DAS）技术：利用相干瑞利散射光的相位而非光强来探测音频范围内的声音或振动等信号, 不仅可以利用相位幅值大小来提供声音或振动事件强度信息，还利用线性定量测量值来实现对声音或振动事件相位和频率信息的获取。DAS可以认为是一个移动干涉式传感器在传感光纤探测外界信号，当声音或振动引起该位置干涉光相位的线性变化，通过提取该位置不同时...
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
中国科学院半导体研究所等在垂直亚铁磁单层膜中发现新型自旋轨道矩（图）
垂直亚铁磁 单层膜 自旋轨道矩
2022/9/21
自旋轨道矩（Spin-orbit torque）是一种利用自旋轨道耦合产生自旋流并通过角动量转移实现磁性材料电调控的有效方法，通常发生在具有反演对称性破缺的自旋霍尔金属/磁性材料界面等。亚铁磁是具有两套反平行排列、相互竞争磁晶格的一类重要磁性材料。亚铁磁因其高速自旋动力学、角动量和磁性高度可控补偿、易探测等独特优势成为有广泛应用前景的信息功能材料。发展低功耗、高速、高密度非易失亚铁磁自旋存储和计算...
二维半导体激子与表面等离激元纳腔的强耦合取得新进展（图）
二维半导体激子 表面等离激元纳腔 强耦合
2023/1/6
当半导体激子跃迁与光学微腔中的腔内光子能量交换速率大于他们的平均损耗时，耦合系统就会进入强耦合状态，形成新的准粒子-激子极化激元 (exciton-polariton). 极化激元作为一种半光、半物质的粒子，它不仅具备光子的优异特性，例如小的有效质量、快的传播速度和长程的时空相干特性，同时也在物质层面加强了粒子间的相互作用，大大增强了非线性效应。 因此，激子极化激元在实现诸如玻色-爱因斯坦凝聚、低...
本文结合近场扫描结构和纳米线-微光纤耦合技术，提出了一种基于硫化镉纳米线/锥形微光纤探针结构的被动近场光学扫描成像系统。该系统采用被动式纳米探针，保留了纳米探针对样品表面反射光的强约束优势。其理论收集效率为4.65‰，相比于传统的金属镀膜近场探针收集效率提高了一个数量级，可有效地提高扫描探针对样品形貌信息的检测能力；而后通过硫化镉纳米线与微光纤之间高效的倏逝场耦合，将检测的光强信号传输到远场进行光...
在新型二维类金属半导体中实现五重低能电荷态（图）
二维类金属 半导体 五重 低能电荷态
2023/1/6
半导体中的孤立缺陷在带隙中形成易于探测和操控的缺陷态。在单缺陷态中对多重量子态的操控，可以用来实现量子计算或者存储的最小量子比特。另外，如果对单原子的孤立能隙态进行操控，还有可能获得非传统的量子光源，在量子密钥分发、量子中继和量子传感等方面具有潜在的应用。孤立缺陷具有电荷和自旋两种可被操控的自由度，以往的研究主要专注于对自旋量子态的操控，但是对自旋量子态的操控需要用到磁场等外场，难以实现未来量子芯...
中国科学院化学研究所发展出有机高分子半导体高效图案化新策略（图）
有机高分子 半导体 高效图案化
2022/9/22
近年来，高迁移率的有机高分子半导体的设计合成研究取得进展。然而，真正将有机高分子半导体的可溶液加工、柔性这些独特性质应用在集成电路中，仍面临困难。在集成电路中，半导体的图案化可以降低栅极漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。而当前针对有机高分子半导体的大面积、高集成度的图案化方法较少。此外，器件在全溶液加工过程中涉及的多种材料对非正交溶剂的耐受性较差，上层材料的加工过程会破坏下层材料。利...
准一维电荷有序半导体(NbSe4)3I低温物性研究
(NbSe4)3I 准一维材料 拉曼散射 I-V曲线
2022/3/15
近期,准一维电荷密度波（CDW）材料（TaSe4）2I的低温相被报道为轴子绝缘体〔Nature575,315（2019）〕,引起了广泛的关注。电荷有序半导体（NbSe4）3I与（TaSe4）2I属于同一个体系,晶体结构也表现为准一维的链状结构,低温下的物态值得进一步研究。本工作利用拉曼光谱和电输运测量实验方法对化学气相输运法（CVT）制备的高质量type-II（NbSe4）3I单晶样品进行了低温下...