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利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在光力耦合研究中取得新进展并受Nanoscale杂志的邀请在其“Nanoscale Quantum Technologies”Themed Collections发表“基于拓扑纳米声子超晶格的太赫兹腔光力学”（Terahertz cavity optomechanics using a topological nanophononic ...
中国科学院半导体所在光力耦合研究中取得新进展（图）
光力耦合 激子光力学 半导体超晶格
2023/7/7
半导体所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在光力耦合研究中取得新进展并受Nanoscale杂志的邀请在其“Nanoscale Quantum Technologies”Themed Collections发表“基于拓扑纳米声子超晶格的太赫兹腔光力学”（Terahertz cavity optomechanics using a topological nanophononic superla...
二维磁性半导体Fe-SnS2同质结中大的不饱和磁电阻（图）
二维磁性半导 Fe-SnS2 磁电阻 凝聚态物理
2022/10/4
中国科学院半导体研究所魏钟鸣团队和北京大学廖志敏团队合作利用Fe原子掺杂的二维半导体材料SnS2 （Fe-SnS2）构建的同质结，研究了在该同质结器件中存在大的不饱和磁电阻效应。Fe-SnS2是一种掺杂磁性元素的二维磁性半导体，具有非常优异的稳定性，在空气中仍能稳定保持。通过低温输运测量表明，该同质结器件表现出完全不同于原始纯SnS2材料的抗磁特性。在平行磁场（磁场平行于样品平面）下磁电阻值高达1...
中国科学院半导体研研究所半导体激子-声子耦合研究取得进展（图）
半导体激子-声子 耦合研究 多声子过程
2022/8/30
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了系列进展。
科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体 砷化硼 载流子迁移率
2022/9/7
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》（Science）上。
刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体-砷化硼 载流子迁移率
2023/1/10
国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得重要进展，为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在 Science 杂志上。
中国科学院半导体研究所2022年高校毕业生招聘计划
中国科学院半导体研究所 高校毕业生 招聘计划
2022/9/28
中国科学院半导体研究所(Institute of Semiconductors,CAS)是集半导体物理、材料、器件研究及系统集成应用的国家级综合性研究所，于1960年在北京成立。半导体所现有在职科研人员600余名。中国科学院院士9名，中国工程院院士1名，海外高层次人才30人，国家“万人计划”入选者6人，国家杰出青年科学基金获得者20人，“百千万人才工程”入选者11人。设有3个博士后流动站，4个一级...
中国科学院半导体研究所骆军委研究组招聘博士后
中国科学院半导体研究所 骆军委 研究组 招聘 博士后 半导体基础物理
2022/9/28
依托中国科学院半导体研究所的半导体超晶格国家重点实验室是我国唯一以半导体基础物理为主要研究领域的国家重点实验室。李树深院士和骆军委研究员团队聚焦在后摩尔时代半导体技术的前沿物理及器件研究，团队成员包括院士1名、杰青1名、优青1名、国家高层次人才计划入选者2名和多名中科院高层次人才计划入选者等，因科研发展需要现向海内外招聘多名博士后（特别研究助理）。
中国科学院物理研究所观测到呼吸笼目半导体中的拓扑平带（图）
呼吸笼目 半导体 拓扑平带
2022/9/16
晶格结构、拓扑和磁性之间的相互作用会赋予材料丰富的物性，一个典型的案例是二维笼目（kagome）晶格。若采取简单的紧束缚模型计算，只考虑最近邻格点间的电子跳跃，可得到其特征性的能带结构——狄拉克锥与拓扑平带并存。该平带起源于kagome晶格中近邻格点间电子跃迁波函数的相位相消，并且受镜面对称性的保护。由于平带中存在大量能量简并的电子，因此电子关联效应非常强，可诱导出多种奇特的物态，如关联绝缘态、超...
金属半导体接触是半导体器件的基本组成部分，已经得到了广泛研究。伴随着二维材料和二维电子学的研究热潮，包括石墨烯、金属型碳纳米管和金属相过渡金属二硫族化合物等众多范德华半金属被用作二维半导体的接触材料。得益于紧密完整的范德华界面、无费米能级钉扎和半金属的弱静电屏蔽能力，半金属半导体接触已在构建高性能二维场效应晶体管和低维可重构器件等方面展现出巨大潜力。深入研究低维半金属半导体接触将具有重要理论意义和...
中国科学院半导体研究所等在垂直亚铁磁单层膜中发现新型自旋轨道矩（图）
垂直亚铁磁 单层膜 自旋轨道矩
2022/9/21
自旋轨道矩（Spin-orbit torque）是一种利用自旋轨道耦合产生自旋流并通过角动量转移实现磁性材料电调控的有效方法，通常发生在具有反演对称性破缺的自旋霍尔金属/磁性材料界面等。亚铁磁是具有两套反平行排列、相互竞争磁晶格的一类重要磁性材料。亚铁磁因其高速自旋动力学、角动量和磁性高度可控补偿、易探测等独特优势成为有广泛应用前景的信息功能材料。发展低功耗、高速、高密度非易失亚铁磁自旋存储和计算...
二维半导体激子与表面等离激元纳腔的强耦合取得新进展（图）
二维半导体激子 表面等离激元纳腔 强耦合
2023/1/6
当半导体激子跃迁与光学微腔中的腔内光子能量交换速率大于他们的平均损耗时，耦合系统就会进入强耦合状态，形成新的准粒子-激子极化激元 (exciton-polariton). 极化激元作为一种半光、半物质的粒子，它不仅具备光子的优异特性，例如小的有效质量、快的传播速度和长程的时空相干特性，同时也在物质层面加强了粒子间的相互作用，大大增强了非线性效应。 因此，激子极化激元在实现诸如玻色-爱因斯坦凝聚、低...
单晶金刚石的半导体应用以及“弹性应变工程”（图）
单晶金刚石半导体 金刚石单量子系统 碳基半导体
2022/3/7
近期，香港城市大学陆洋教授课题组系统总结并展望了金刚石（人造钻石）的半导体应用潜力及其在微纳尺度下“弹性应变工程”所带来的新机遇。文章综述了学术界与业界基于金刚石实验建模和构建的高压开关二极管、大功率高频场效应晶体管、微/纳机电系统以及在高温下工作的器件等多方面的努力，讨论了解决金刚石器件规模化应用的一些积极进展，并强调高质量化学气相沉积（CVD）大尺寸单晶金刚石薄膜的制备需求以及电子级应用下单晶...