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中国科学院物理研究所二维半导体中本征极化子的原子级操纵（图）
二维半导体 绝缘体 催化
2023/6/28
极化子是半导体或绝缘体中的一种基本物理现象，是由材料体内的额外电荷（电子或空穴）在电声耦合作用下被束缚在局域晶格畸变处而构成的复合准粒子，对材料的输运特性、表面催化、磁性甚至超导性表现出极其重要的影响。在原子尺度下对极化子的表征和操纵有助于了解极化子的基本物理机制，乃至材料的基本物理特性。然而自极化子概念提出以来，已发现具有极化子的材料体系中，额外电荷往往来自于晶格缺陷，如空位、掺杂或吸附原子等，...
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而，目前印刷的二维晶体管，受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
二维半导体激子与表面等离激元纳腔的强耦合取得新进展（图）
二维半导体激子 表面等离激元纳腔 强耦合
2023/1/6
当半导体激子跃迁与光学微腔中的腔内光子能量交换速率大于他们的平均损耗时，耦合系统就会进入强耦合状态，形成新的准粒子-激子极化激元 (exciton-polariton). 极化激元作为一种半光、半物质的粒子，它不仅具备光子的优异特性，例如小的有效质量、快的传播速度和长程的时空相干特性，同时也在物质层面加强了粒子间的相互作用，大大增强了非线性效应。 因此，激子极化激元在实现诸如玻色-爱因斯坦凝聚、低...
电子级二维半导体与柔性电子器件(图)
二硫化钼 二维半导体材料 柔性电子器件 高质量薄膜
2021/8/18
在半导体器件不断小型化以及柔性化的主流趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特的优势。国际半导体联盟在2015年的技术路线图（International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS）中明确地指出它是下一代半导体器件的关键材料。
近期，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室王俊课题组在提高二维纳米材料非线性光学特性方面取得新进展。研究表明双（三氟甲烷）磺酰亚胺（TFSI）处理对单层过渡金属硫化物的非线性光学性质具有显著影响，处理后的MoS2和WS2表现出增强的双光子吸收和双光子发光性能。相关研究成果发表在[Optics Express 27, 13744-13753 (2019)]。
近日，我校物理学院缪峰教授课题组与意大利Salerno大学的Antonio Bartolomeo教授合作，系统研究了基于PdSe2的场效应晶体管转移特性曲线中出现的回滞现象，首次展示了压强可调的回滞行为和双极性电导。合作团队首先制备了PdSe2场效应晶体管器件（图a），在转移特性曲线中观察到回滞现象（图b），通过仔细分析回滞窗口的宽度与栅压范围以及栅压扫描时间的变化关系（图c），指出这种回滞现象有...
根据汤姆森科技信息集团（Thomson Reuters）最新统计数据显示，中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室王俊课题组和张龙课题组以通讯作者发表的3篇关于二维半导体非线性光学的SCI论文同时入选本年度Essential Science Indicators（ESI，基本科学指标）高被引论文“ESI Highly Cited Paper”，即收录10年内该学科全球被引用次...
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄等研究人员在利用铁电聚合物极化对二维半导体带隙调控及其高性能光电探测方面取得新进展。相关成果发表在Advanced Materials（Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)，DOI: 10.1002/adma.201503340）上，并被编辑选为期刊卷首（DOI: 10.1...