搜索结果: 1-15 共查到“物理学 磁电阻”相关记录19条 . 查询时间(0.085 秒)
中国科学院科学家在室温铁磁材料中观测到反对称磁电阻及非常规霍尔效应（图）
温铁磁材料 观测 磁电阻
2024/1/19
稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心低功耗量子材料研究团队，依托SHMFF磁性测量系统，通过磁输运测量，在二维铁磁材料Fe5-xGeTe2纳米片中观测到非互易反对称磁电阻及非常规霍尔效应。相关研究成果发表在《美国化学学会-纳米》（ACS Nano）上。
中国科学院西安光学精密机械研究所专利：一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法
中国科学院物理研究所专利：基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件
拓扑材料大线性正磁电阻的贝利曲率模型与实验验证（图）
拓扑材料 大线性 正磁电阻 贝利曲率模型
2023/1/5
近十年来，拓扑材料展现出丰富的新奇物理行为，拓宽了人们对凝聚态物理的认识。拓扑材料所具有的线性交叉能带可产生低能激发准粒子，对应于量子场论中的外尔费米子。由于质量为零，外尔费米子具有很大的迁移率，对材料宏观的输运现象会产生显著影响。定量研究外尔费米子对输运的影响离不开贝利曲率，拥有左右手性的外尔费米子可以视为动量空间中的正负磁单极子，而贝利曲率就是动量空间中磁单极子产生的赝磁场。
二维磁性半导体Fe-SnS2同质结中大的不饱和磁电阻（图）
二维磁性半导 Fe-SnS2 磁电阻 凝聚态物理
2022/10/4
中国科学院半导体研究所魏钟鸣团队和北京大学廖志敏团队合作利用Fe原子掺杂的二维半导体材料SnS2 （Fe-SnS2）构建的同质结，研究了在该同质结器件中存在大的不饱和磁电阻效应。Fe-SnS2是一种掺杂磁性元素的二维磁性半导体，具有非常优异的稳定性，在空气中仍能稳定保持。通过低温输运测量表明，该同质结器件表现出完全不同于原始纯SnS2材料的抗磁特性。在平行磁场（磁场平行于样品平面）下磁电阻值高达1...
首度确认四度对称的各向异性磁电阻微观机制（图）
四度对称 各向异性 磁电阻微观机制
2023/2/23
近日，同济大学物理科学与工程学院周仕明教授团队与北京师范大学物理学系高等量子研究中心袁喆教授课题组，通过理论和实验深度合作首次揭示了铁磁金属材料四度对称各向异性磁电阻微观机制，即在自旋轨道耦合作用下，费米面态密度受磁矩方向调制从而导致电子弛豫时间的各向异性。
北京大学物理学院杨金波课题组与合作者揭示轨道Rashba-Edelstein磁电阻效应（图）
电流诱导力矩 自旋电子学 新型高性能磁存储器件 轨道Rashba-Edelstein磁电阻效应
2022/3/2
电流诱导力矩可以高效地实现电流驱动的磁畴壁移动及磁矩翻转，在自旋电子学领域具有重要的研究意义，有望实现新型高性能磁存储器件。目前，大多数研究关注于具有强自旋轨道耦合的重金属体系，流过重金属中的电流通过自旋霍尔效应产生自旋流，自旋流与铁磁磁矩交换角动量进而诱导自旋轨道力矩。然而，不具备强自旋轨道耦合的轻金属体系一般不能观测到自旋霍尔效应，因此轻金属材料中很难产生强的自旋轨道力矩效应。在材料中，除了自...
物理学家布洛赫(F. Bloch, 1905-1983, Nobel Prize in 1952)早在1930年提出了自旋波及其量子化基元-磁激子(简称磁子)的概念：即磁有序系统的局域扰动可在整个磁有序晶格中以波的形式传播开来，随后在1957年被物理学家伯特伦·布罗克豪斯(B. Brockhouse, 1918-2003, Nobel Prize in 1994)采用非弹性中子散射实验所证实。这种...
物理学家布洛赫(F. Bloch, 1905-1983, Nobel Prize in 1952)早在1930年提出了自旋波及其量子化基元-磁激子(简称磁子)的概念：即磁有序系统的局域扰动可在整个磁有序晶格中以波的形式传播开来，随后在1957年被物理学家伯特伦·布罗克豪斯(B. Brockhouse, 1918-2003, Nobel Prize in 1994)采用非弹性中子散射实验所证实。这种...
外尔半金属是一种新型的拓扑材料，可以看作粒子物理中标准模型的外尔费米子在凝聚态物理中的实现。外尔半金属的概念最早由南京大学的万贤纲教授及国外合作者于2011年提出，其发表在PRB的文章单篇引用已接近二千篇，掀起了国际上研究外尔半金属的热潮。外尔半金属具有极高的载流子迁移率和不同寻常的电子输运性质，在未来的高速电子器件中可能有重要的应用潜力。
中国科学院物理研究所李永庆研究员课题组林朝镜博士，在稳态强磁场实验装置变温X射线衍射仪（XRD）设备的支持下，对HgCr2Se4中的自旋耦合和巨磁电阻效应进行了深入的研究，并取得了新进展。该研究成果以Spin correlations and colossal magnetoresistance in HgCr2Se4为题发表在期刊《物理评论B》上 (Physical Review B 94, 2...
电子科技大学微固学院团队在国际上首次发现绝缘体“自旋流阀”巨磁电阻效应（图）
电子科技大学微固学院 绝缘体 巨磁电阻
2014/10/10
近日，我校微电子与固体电子学院张怀武课题组博士生金立川、王棋在Sci. Rep.，Appl. Phys. Lett.，J. Appl. Phys.，J. Phys. D: Appl. Phys.等国际高水平刊物上发表8篇文章，展示了他们的最新研究成果，这些成果主要集中在“自旋阀效应”和二维磁振子晶体模型方面。
基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象
真空薄膜 铁磁纳米点连接 各向异性磁电阻 弹道磁电阻
2013/8/30
比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250 nm 和10 nm 的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V 特性, 得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系, 说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用, 也就是说, 我...
利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生...