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中国科学院物理研究所专利：磁性隧道结及包括其的磁器件和电子设备
中国科学院物理研究所专利：巨磁致电阻器件和磁性隧道结结构及包括其的电子设备
2019年8月14日，物理学院低维量子体系输运与统计团队在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《范德瓦尔斯型磁性隧道结中的自旋相关输运性质》（Spin-dependent transport in van der Waals magnetic tunnel junctions with Fe3GeTe2electrodes）的理论研究论文。张佳副教授为论文的通讯作者，物理学院201...
宽量子阱双势垒磁性隧道结中长程相位相干性研究获进展（图）
宽量子阱 双势垒磁性隧道结
2015/10/21
双势垒磁性隧道结利用在两个平行绝缘层之间的超薄磁性金属层形成二维量子阱(QW)，并通过调节金属层厚度和磁矩方向来控制量子阱共振隧穿，是研究自旋相关的量子阱态、量子阱分立能级、量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应及自旋量子调控的标准结构，也是研发各种基于量子阱共振隧穿磁电阻效应的新型自旋电子学材料及量子阱共振隧穿二极管等重要单元器件的物理基础。因此这一研究课题在凝聚态物理及自旋电子学和...