搜索结果: 1-15 共查到“物理学 异质”相关记录69条 . 查询时间(0.194 秒)
中国科学院半导体所在异质外延生长新技术方面取得重要进展（图）
芯片材料 原子 沉积
2024/4/22
高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制，已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而，在半导体外延制造过程中，芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免，严重影响了芯片的性能和良率。
苏州纳米所康黎星等JACS：碳纳米管内嵌异质结的光电应用研究取得新进展（图）
康黎星 碳纳米 光电应用
2024/4/10
一维范德华异质结构为新型纳米器件的设计和制备提供了新的思路和可能性，深入了解一维范德华异质结构的电子转移机制和应用一直是一个重大挑战。针对以上科学问题，中国科学院苏州纳米所康黎星团队验证了由单壁碳纳米管封装碘化铅高质量一维异质结构的稳定形成，并详细阐明了其层间电子转移行为机制。此外，利用上述机制，设计了具有出色光电流和开关比的自供电光电探测器。
中国科学院物理所等关于铁磁/α-GeTe异质结的磁阻尼因子的研究获进展（图）
铁磁 自旋动力学 电子器件
2023/11/19
磁性阻尼因子是自旋动力学中的关键参数之一，描述了电子在晶格中弛豫的速度，涉及电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。研究和控制磁性材料的阻尼因子，对基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关。理论上阻尼因子应是一个张量，但实验上，由于电子的随机散射，阻尼因子通常表现出各向同性，因...
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究中取得进展（图）
半导体超晶格 莫尔异质 激子研究
2023/10/2
2023年9月25日，新加坡南洋理工大学教授高炜博与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoS2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，建立了DAP IX的动力学模型，解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以《MoS2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主对激子》（M...
薄膜异质结光电功能材料的制备科学、功能机理和正电子过程研究。
中国科学院金属研究所专利：一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
有机发光晶体管（OLETs）是一种结合了有机场效应晶体管（OFETs）的开关功能和有机发光二极管（OLEDs）的发光功能的新型有机光电器件。因其具有简单的制造流程、高的电流密度和集成度，在下一代显示技术、多功能器件和有机电泵浦激光器等领域具有潜在的应用价值。与目前主流的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）屏幕相比，基于OLETs的显示器有望降低制造成本、提高集成度和改善面板性能，进一步简化AMO...
自支撑全氮化物磁性异质结的应力调控（图）
自支撑 全氮化物 磁性异质结 应力调控
2023/1/5
二元过渡金属氮化物是一类晶体结构相对简单但却物性极为丰富的功能材料。以具有3d过渡金属的二元氮化物为例，它们同样具有超导、金属-绝缘体相变、铁电、介电、热电、铁磁/反铁磁等丰富的物理特性，为研究凝聚态物理相关问题提供了新的材料体系。同时，过渡金属氮化物还兼具超强硬度、抗腐蚀、抗辐射等优势，逐渐成为功能薄膜材料领域的研究热点之一。然而，高质量过渡金属氮化物单晶块材和单晶薄膜的制备一直是困扰该领域进行...
2022年11月4日，上海光机所强场激光物理国家重点实验室在石墨烯-PtSe2异质结的界面电荷转移研究方面取得进展，相关成果以“Hot Carrier Transfer in PtSe2/Graphene Enabled by the Hot Phonon Bottleneck”为题发表于The Journal of Physical Chemistry Letters上。
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队研究员郑国林与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授Lan Wang、华南理工大学教授赵宇军等人合作，利用门电控制二维异质结界面的质子插层，实现了范德瓦尔斯铁磁（FM）金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias（交换偏置）效应的电调控，为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果发表在Na...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队/龚谦团队与浙江大学副教授金毅课题组合作，在硅基衬底上研制出超小尺寸的包含InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光。7月28日，相关研究成果以Heterogeneously integrated quantum-dot emitters efficiently driven by a quasi-BIC...
中科院上海分院上海微系统所硅光课题组实现硅基异质集成的片上量子点发光（图）
上海微系统所 硅光 硅基异质集成 量子点发光
2022/12/18
2022年8月2日，上海微系统所硅光课题组武爱民研究员团队、龚谦研究员团队以及浙江大学金毅副教授课题组合作，在硅基衬底上研制了超小尺寸的包含了InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光，相关成果以“Heterogeneously integrated quantum-dot emitters efficiently driven by a quasi-BIC-suppor...
2022年6月28日，上海光机所强场激光物理国家重点实验室在石墨烯-WSe2异质结的界面电荷转移研究方面取得进展，相关成果以“Tunable ultrafast electron transfer in WSe2-graphene heterostructure enabled by atomically stacking order”为题发表于Nanoscale上。
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...