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苏州纳米所康黎星等JACS：碳纳米管内嵌异质结的光电应用研究取得新进展（图）
康黎星 碳纳米 光电应用
2024/4/10
一维范德华异质结构为新型纳米器件的设计和制备提供了新的思路和可能性，深入了解一维范德华异质结构的电子转移机制和应用一直是一个重大挑战。针对以上科学问题，中国科学院苏州纳米所康黎星团队验证了由单壁碳纳米管封装碘化铅高质量一维异质结构的稳定形成，并详细阐明了其层间电子转移行为机制。此外，利用上述机制，设计了具有出色光电流和开关比的自供电光电探测器。
中国科学院物理所等关于铁磁/α-GeTe异质结的磁阻尼因子的研究获进展（图）
铁磁 自旋动力学 电子器件
2023/11/19
磁性阻尼因子是自旋动力学中的关键参数之一，描述了电子在晶格中弛豫的速度，涉及电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。研究和控制磁性材料的阻尼因子，对基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关。理论上阻尼因子应是一个张量，但实验上，由于电子的随机散射，阻尼因子通常表现出各向同性，因...
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究中取得进展（图）
半导体超晶格 莫尔异质 激子研究
2023/10/2
2023年9月25日，新加坡南洋理工大学教授高炜博与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoS2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，建立了DAP IX的动力学模型，解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以《MoS2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主对激子》（M...
薄膜异质结光电功能材料的制备科学、功能机理和正电子过程研究。
有机发光晶体管（OLETs）是一种结合了有机场效应晶体管（OFETs）的开关功能和有机发光二极管（OLEDs）的发光功能的新型有机光电器件。因其具有简单的制造流程、高的电流密度和集成度，在下一代显示技术、多功能器件和有机电泵浦激光器等领域具有潜在的应用价值。与目前主流的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）屏幕相比，基于OLETs的显示器有望降低制造成本、提高集成度和改善面板性能，进一步简化AMO...
自支撑全氮化物磁性异质结的应力调控（图）
自支撑 全氮化物 磁性异质结 应力调控
2023/1/5
二元过渡金属氮化物是一类晶体结构相对简单但却物性极为丰富的功能材料。以具有3d过渡金属的二元氮化物为例，它们同样具有超导、金属-绝缘体相变、铁电、介电、热电、铁磁/反铁磁等丰富的物理特性，为研究凝聚态物理相关问题提供了新的材料体系。同时，过渡金属氮化物还兼具超强硬度、抗腐蚀、抗辐射等优势，逐渐成为功能薄膜材料领域的研究热点之一。然而，高质量过渡金属氮化物单晶块材和单晶薄膜的制备一直是困扰该领域进行...
2022年11月4日，上海光机所强场激光物理国家重点实验室在石墨烯-PtSe2异质结的界面电荷转移研究方面取得进展，相关成果以“Hot Carrier Transfer in PtSe2/Graphene Enabled by the Hot Phonon Bottleneck”为题发表于The Journal of Physical Chemistry Letters上。
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队研究员郑国林与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授Lan Wang、华南理工大学教授赵宇军等人合作，利用门电控制二维异质结界面的质子插层，实现了范德瓦尔斯铁磁（FM）金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias（交换偏置）效应的电调控，为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果发表在Na...
2022年6月28日，上海光机所强场激光物理国家重点实验室在石墨烯-WSe2异质结的界面电荷转移研究方面取得进展，相关成果以“Tunable ultrafast electron transfer in WSe2-graphene heterostructure enabled by atomically stacking order”为题发表于Nanoscale上。
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟
2022/3/31
为探索锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）总剂量效应的损伤机理，采用半导体器件三维模拟工具（TCAD），建立电离辐照总剂量效应损伤模型，分析比较电离辐射在SiGeHBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后，器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征，获得SiGeHBT总剂量效应损伤规律，并与60Coγ辐照实验进行对比。结果表明：总剂量辐照在SiGeHBT器件中引入的氧化物陷阱...
当前，信息技术的高速发展对半导体器件的热管理提出了更高的要求：一方面需要使用更好的散热材料（如石墨烯、金刚石等），另一方面需要降低接触界面热阻。对于小尺寸的高功率器件而言，界面的导热能力实际上已经成为制约器件性能提升的瓶颈，因此，研究其界面导热机制尤其重要。在半导体器件中，界面热导主要是由异质结界面附近的几个原子层产生的界面声子决定的。但目前人们对于界面声子如何影响界面热导知之甚少，主要原因是缺乏...
采用溶剂热法制备了三维花状CeO2/TiO2异质结光催化剂，然后以甲基橙（MO）为模拟有机污染物，在氙灯照射下考察了其光催化活性。结果表明，花状结构由纳米片和纳米颗粒复合而成，纳米片上均匀地附着CeO2颗粒。Ce/Ti的物质的量之比（nCe/nTi）和溶剂热时间影响异质结的光催化性能，当nCe/nTi=0.1、溶剂热时间为6h时，CeO2/TiO2的光催化活性达到最佳，氙灯照射50min的降解率达...
二维材料由于其独特的结构和优异的性能引起科学界、工业界广泛的关注。二维材料形成能比较低，在其制备、生产和存储过程中容易产生大量缺陷。这些缺陷会影响二维材料的光电、热学、机械等方面的性能，赢得程度上限制了二维材料的应用，因而实现对二维材料中缺陷的调控和进一步利用尤为必要。本工作中采用离子束辐照的方式在二硒化钼/石墨烯（MoSe2/graphene）异质结上层的MoSe2层中引入数量可控的硒（Se）缺...
将存储与逻辑功能集成到一起，实现存算一体化有望打破“冯·诺依曼”瓶颈，进一步提高器件性能。近年来基于自旋轨道矩引起的磁化翻转实现自旋逻辑及存算一体成为自旋电子学研究的新热点。尽管实验上已经实现了零磁场下自旋轨道矩可控的磁化翻转，也利用磁场和电场的协同调控实现部分逻辑运算功能，但是在单个非易失性存储器件中尚未实现纯电场可调控的完备自旋逻辑功能。
近期，甘志星副教授在带隙梯度分布半导体异质结的能量漏斗效应方面研究取得重要进展，发展了一种光谱测试方法，可以用于区分能量漏斗效应过程中的载流子转移和能量共振转移机制。研究结果以"Efficient Energy Funnelling by Engineering the Bandgap of a Perovskite: Förster Resonance Energy Transfer ...