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中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
中能质子单粒子效应试验束流分布及次级中子模拟
单粒子效应 质子辐照试验 次级中子
2022/3/17
基于中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器，国内建成了用于微电子器件辐射效应研究的中能质子辐照试验装置。质子从加速器产生到入射器件样品期间，不可避免地会与束流传输线上的设备发生碰撞并产生大量次级中子，同时也使得质子束流参数发生改变。在开展微电子器件质子单粒子效应实验研究中，质子束流品质会直接影响单粒子效应截面测量的有效性和准确性。为评价质子束流品质，对中能质子辐照试验装置中质子束流传输线进...
中国散裂中子源高能中子单粒子效应测试束线可行性讨论会（图）
散裂中子源 高能中子单粒子效应 讨论会
2012/8/13
2012年8月6日，中国散裂中子源（CSNS）高能中子单粒子效应（SEE）测试束线可行性讨论会在中科院高能物理研究所召开。来自中国原子能科学研究院、中科院物理所、中山大学和中科院高能所的11名专家，包括3位院士参加了会议。
中小规模逻辑电路单粒子效应实验研究
单粒子效应 线性能量传输 单粒子翻转截面（σ）
2009/1/7
介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用６０Ｃｏγ射线辐照至一定剂量后再用重离子轰击，在不同总吸收剂量下获得了σ－ＬＥＴ曲线。对实验结果进行了讨论并得出中小规模逻辑电路的单粒子效应不容忽视的结论。
质子和中子引起的单粒子效应及其等效关系理论模拟
质子 中子 单粒子效应 蒙特卡罗方法
2008/12/23
根据器件几何尺寸、掺杂浓度、偏压等因素确定灵敏体积和临界电荷 ,从而提出单粒子效应的物理模型。考虑了质子和中子在硅中的弹性散射、非弹性散射、两体反应、多体反应以及质子的库仑散射等所有相互作用类型 ,采用蒙特卡罗方法模拟跟踪入射粒子与核的相互作用以及各种次级带电粒子和反冲核的能量沉积过程。采用Ziegler的拟合公式精确计算质子、α粒子、氘核、反冲核等带电离子的能量沉积。根据模拟结果确定了两种粒子...
利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨
重离子 单粒子效应（ＳＥＥ） 半导体器件
2008/12/18
论了利用重离子研究宇航半导体器件单粒子效应（ＳＥＥ）时应重视的几个问题，即空间辐射环境中的重离子，粒子辐射对半导体器件的影响和利用重离子束进行ＳＥＥ测试，以及重离子和质子在器件单粒子效应研究中的关系，最后介绍单粒子翻转重离子显微学。
高能质子引起器件单粒子效应的研究方法
单粒子效应 质子 半导体器件
2010/2/24
简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半经验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率. This article introduces briefly the experimental and theoretical methods that have been used to study hig...
用12C离子模拟质子引起的单粒子效应
质子单粒子效应 重离子核反应 直接电离
2010/2/24
在理论分析的基础上 ,提出了一种利用兰州重离子加速器提供的高能12C离子模拟质子引起单粒子效应的途径 .在保证核反应机制是引起单粒子效应主要机制的前提下,用高能12C离子可以模拟质子在功率金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管中引起的单粒子烧毁以及单粒子栅极击穿 ,获得质子单粒子效应的饱和截面 ,定性研究质子单粒子效应的角度效应 ,还可以作为高能质子单粒子效应实验前的预备实验 .该方法拓展了兰州重离...
重离子在半导体器件中引起的单粒子效应
单粒子效应 辐射损伤 软错误 加速器模拟
2010/2/25
重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法 ,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作. Single event effects (SEE ′s) have been observed in semiconductor device in spac...