搜索结果: 1-15 共查到“物理学 薄膜晶体管”相关记录23条 . 查询时间(0.747 秒)
中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件（PDK）（图）
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日，在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议（CCF DAC）openDACS开源EDA专题论坛上，微电子所集成电路制造技术重点实验室（中国科学院）发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
宁波材料所在氧化物薄膜晶体管人工光电突触方面取得研究进展（图）
光电 非晶氧化物 半导体薄膜晶体
2023/11/4
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域应用潜力巨大。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等瓶颈问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO 面板驱动。以IGZO 为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率 （10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特的优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显...
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层，成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响，对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明，在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能，所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示，该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展，相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparat...
利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率
有机薄膜晶体管 表面形貌 迁移率 TPD
2014/3/15
通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm 并五苯掺杂的N，N’-二苯基-N，N’-二（3-甲基苯基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现：N，N’-二苯基-N，N’-二（3-甲基苯基）-1，1’-联苯-4，4’-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌，利于形成欧姆接触，从而改善器件性能，最终使优化器...
复旦大学等揭示有机薄膜晶体管稳定性机理
复旦大学 有机薄膜晶体管 稳定性机理
2014/2/26
复旦大学信息科学与工程学院副教授仇志军与教授刘冉领导的团队，在揭示有机薄膜晶体管性能稳定性机制上取得突破性进展，提出一种水氧电化学反应与有机薄膜载流子相互作用的统一理论模型，这有望加速柔性电子领域的大规模应用。相关论文近日在《自然—通讯》上发表。
Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善
有机薄膜晶体管 并五苯 电性能
2014/3/16
研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响，结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化，获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。
美国研制出迄今最快有机薄膜晶体管（图）
美国 迄今最快 有机薄膜晶体管
2014/1/11
2014年1月9日报道，美国内布拉斯加林肯大学和斯坦福大学的科学家，制造出了目前世界上运行最快的有机薄膜晶体管，证明了该技术在制造高清显示设备以及透明电子设备上的巨大潜力。相关论文发表在1月8日出版的《自然·通信》杂志上。
退火温度对溶胶-凝胶法制备锌锡氧化物薄膜晶体管的影响
溶胶-凝胶法 退火温度 薄膜晶体管 电学性能
2013/11/30
采用溶胶-凝胶法制备了非晶锌锡氧化物(ZTO)薄膜晶体管(TFT),通过热重-差热分析(TG-DTA)对ZTO胶体中的化学反应进行了分析,研究了不同退火温度对ZTO TFTs性能的影响。结果表明:当退火温度在300~500℃范围内时,薄膜为非晶态结构,薄膜表面致密、平整。当退火温度达到400℃时,薄膜在可见光范围内具有高透过率(>85%)。随着退火温度的升高,器件阈值电压明显降低,由15.85 V...
分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的...