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北京大学物理学院杜瑞瑞课题组与合作者首次观察到拓扑边缘态的库仑拖曳效应（图）
库仑拖曳 拓扑边缘态 量子效应 电子系统
2021/10/14
库仑拖曳是介观电子系统中的一种量子效应。由于电子-电子相互作用，一维导体中的电流i会引起邻近平行的一维导体两端产生电压Vd，其拖曳电阻Rd =Vd/i 的符号、幅度及随温度的变化情况将直接反映一维导体的特性。因此，对库仑拖曳的观察是了解奇异一维电子系统（例如Luttinger液体）物理的重要窗口。
《物理评论快报》报道北京大学量子材料科学中心谢心澄研究组及合作者关于外尔半金属中三维量子霍尔效应及其边缘态物理图像的研究（图）
北京大学量子材料科学中心 谢心澄 外尔半金属 三维量子 霍尔效应 边缘态 物理图像
2020/8/3
近年来，拓扑半金属中三维量子霍尔效应的研究引起了广泛的兴趣。2017年，南方科技大学卢海舟研究组和北京大学谢心澄研究组合作，在拓扑半金属中，提出了一种新的由上下表面费米弧联合形成的三维量子霍尔效应的机制。然而，对于这种新的三维量子霍尔效应来说，边缘态的物理图像——边缘态如何演化并形成闭合轨迹——以及如何受倾斜磁场的影响仍然是缺失的。最近，北京大学量子材料科学中心博士生李海龙在导师谢心澄院士的指导下...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理国家重点实验室吴克辉研究组一直致力于单元素二维材料的研究，在硅烯、硼烯等领域取得了世界领先的研究成果。近年来，他们也开始了对多层单元素二维材料层间作用的调控研究。例如，在2018年，该研究组陈岚研究员与澳大利亚伍伦贡大学Y. Du教授以及南开大学胡振芃教授合作，利用扫描隧道显微镜的操纵技术在多层硅烯上实现了层间转动，得到了由莫尔条纹引发的具有...
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性，即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一，获得了2010年度欧洲物理学奖。