搜索结果: 1-15 共查到“凝聚态物理学 沉积”相关记录19条 . 查询时间(0.191 秒)
上海光机所采用两步变温沉积揭示基底亚表面缺陷诱导激光薄膜损伤机制（图）
沉积 激光薄膜
2023/11/29
2023年10月26日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在基于两步变温沉积法探究基底亚表面杂质缺陷对分光薄膜激光损伤阈值（LIDT）的影响机制方面取得进展。相应研究成果以“Effect of subsurface impurity defects on laser damage resistance of beam splitter coatings”为题，发表于High Power...
中国科学院金属研究所专利：一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 磁控 电弧离子镀 复合沉积工艺 沉积装置
2023/8/21
中国科学院金属研究所专利：一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置
拓扑半金属WC表面沉积金属薄膜诱导的界面超导（图）
拓扑半金属 WC 表面沉积金属薄膜 界面超导
2020/4/27
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室SC10组长期致力于各种新型拓扑、超导等材料的制备和探索；安徽大学物质科学与信息技术研究院单磊教授（原物理所研究员）团队专注于超导以及拓扑材料的点接触和扫描隧道谱研究。近年来，两个团队密切合作、联合攻关，尝试在多种拓扑材料中实现超导。陈根富研究员指导的博士后何俊宝、博士生陈栋（已毕业）等成功生长出了在费米面附近具有三重简并点的拓扑半...
研究了电弧离子镀磁性靶材使用过程中发生“跑弧”并导致靶材无法稳定刻蚀的问题. 利用有限元方法(FEM)对外加磁场下非磁性靶材系统和磁性靶材系统中的磁场分布进行了模拟. 研究了外磁场对电弧斑点运动的影响机理, 并结合电弧斑点放电的物理机制, 探讨了磁性靶材与低饱和蒸气压金属靶壳、绝缘陶瓷靶壳或软磁性金属靶壳组成复合结构靶材解决磁性靶材使用问题的可行性. 结果表明, 这3种复合结构靶材设计方案均能有效...
在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2 薄膜上用紫外光刻和Ar 离子刻蚀制作出SQUID 环路膜条, 然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID 的环路上制作了150~300 nm 之间不同尺寸的纳米微桥结构, 并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T 曲线与薄膜基本相同, 表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响. 对SQUID的R-T 关...
a-SiN:H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究
氢化非晶氮化硅 对靶磁控溅射 微观结构 键合特性
2013/9/3
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜. 利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜沉积速率、微观结构及键合特性进行了分析. 结果表明, 利用等离子反应溅射可在较低衬底温度条件下(Ts<250℃)实现低表面粗糙度和高光学透过率的a-SiN:H薄膜制备. 增加衬底温度可使...
离子束溅射沉积Ir膜真空紫外反射特性研究
真空紫外反射膜 真空紫外反射率 Ir膜
2009/8/26
根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型，对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.采用离子束溅射沉积技术，在石英、K9玻璃和Si基片上沉积了不同厚度的Ir膜，研究了基片、表面厚度、离子束能量及镀后热处理对Ir膜反射率的影响，在波长120 nm处获得了近30％正入射反射率.
CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究
化学沉积 CdS薄膜 CdCl2处理 退火
2009/5/11
用化学沉积方法在沉积温度为90 ℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究，发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶，晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶，而且晶粒增粗...
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
光子晶体 人工欧泊 光子带隙 金属有机化学气相沉积 磷化铟
2009/5/4
制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体，分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析的结果较为符合。磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高，二氧化硅球和空隙间的折射率差越大，人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著；周期生长、低压、使用和InP失配小...
沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响
沉积温度 微结构 X射线衍射
2009/2/20
用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO2薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~...
沉积温度对LaF3薄膜性能的影响
折射率 残余应力 激光损伤阈值
2009/2/20
在189，255，277和321 ℃的沉积温度下用热舟蒸发方法制备了LaF3薄膜。通过X射线衍射(XRD)测试了薄膜的晶体结构;采用分光光度计测量了薄膜的透射光谱，并计算得到样品的折射率、消光系数和截止波长;利用光学干涉仪测试得到了薄膜的残余应力;采用三倍频Nd:YAG脉冲激光测试了薄膜的激光损伤阈值。结果表明：随沉积温度的提高，LaF3薄膜的结晶状况明显变好，晶粒尺寸逐渐变大；膜层变得更加致密，...
脉冲激光沉积制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子表观扩散的研究
LiCoO2 脉冲激光沉积(PLD) 薄膜电池
2008/12/10
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在镀Pt的Si衬底上制备了LiCoO2薄膜, 运用XRD、Raman光谱、SEM和循环伏安等方法对其结构与电化学性能进行表征, 在此基础上着重采用电位间歇滴定技术(PITT)对其Li离子表观扩散进行了分析. 结果表明,600℃制备的LiCoO2薄膜为HT-LiCoO2相, 呈柱状晶结构, 平均晶粒尺寸在100 nm以下, 结晶度高, 并且具有明显的[001]择优取向,...
在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜
2007/7/28
期刊信息
篇名
在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜
语种
中文
撰写或编译
作者
杨川，吴大兴，高国庆等
第一作者单位
刊物名称
功能材料
页面
1997年12月，Vol.28，No.6
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
DC-PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型
2007/7/28
期刊信息
篇名
DC-PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型
语种
中文
撰写或编译
作者
吴大兴，周海，杨川等
第一作者单位
刊物名称
机械工程材料
页面
1997年8月，Vol.21，No.4
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究