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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 等离子体 磁控溅射 沉积方法
2023/12/29
本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种磁控溅射装置及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磁控溅射
2023/12/20
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
作为一种超宽禁带半导体材料，AlN因具有击穿场强高、耐高温高压性能好、压电性能优异等特点而受到了研究者们的广泛关注。AlN在各种光电、电子电力器件和声波滤波器中均存在相关应用，考虑到现阶段单晶AlN衬底生长技术还不成熟，AlN薄膜主要依赖异质外延技术进行制备。目前，在各种外延技术中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）被认为是外延AlN最为广泛使用的技术之一，但始终面临着生长周期较长、成本较高，以及...
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜，冷却至室温后原位退火4h，制备出一系列Mg2Si薄膜样品。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征，讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2Si薄膜的影响。结果表明，采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si...
中国科学院新疆理化技术研究所材料物理与化学研究室常爱民研究团队致力于薄膜型NTC热敏电阻材料及元器件的研发。先后采用激光分子束外延技术、激光脉冲沉积技术、化学溶液沉积技术制备出了具有良好择优取向的NTC热敏电阻薄膜。为了进一步实现薄膜材料的器件化，该团队科研人员在比较了各种薄膜制备技术的优劣后，选择磁控溅射法制备具有稳定负温度系数热敏特性的薄膜材料。
中国科学院力学所建成高能冲击磁控溅射装备系统并开放服务（图）
中国科学院力学所 磁 装备
2015/1/5
表面工程提高材料摩擦磨损、耐腐蚀性能的同时，还赋予材料新的表面功能，为解决人类发展中遇到的资源、能源等问题起到了不可替代的重要作用。作为表面工程领域的重要分支，我国亟需提升物理气相沉积（PVD）的技术能力。
磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质
磁控溅射 CuO 纳米线 阵列薄膜 气敏性质
2013/8/29
通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜, 所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO 纳米线阵列薄膜. 用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征, 并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO 纳米线阵列薄膜对CO 和H2S 的气敏性质. 研究结果表明, CuO 纳米线阵列薄膜在250℃时对CO 气体...
介绍了中国散裂中子源（CSNS）快循环同步加速器（RCS）中四极陶瓷真空盒内表面镀TiN膜技术与成膜系统装置。采用磁控溅射法，通过在绝缘体长直管道外表面安装金属屏幕罩来提供同轴电场的方法，解决了镀膜均匀性的问题。镀膜样品Ti、N比在0.9~1.1范围内，膜厚为100 nm左右，附着力达到要求，总体满足设计指标，完成了CSNS四极陶瓷真空盒样机的镀膜。
纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究
纳米ZnO 磁控溅射 吸收
2009/10/28
采用射频磁控反应溅射方法在SiO2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移，表明随着ZnO尺寸的减小，量子尺寸效应增强，导致带隙展宽，吸收峰蓝移。光致发光光谱在387和441 nm附近出现了两个发光带，分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合，而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁，并用时...
磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析
SiNx非晶薄膜 磁控溅射 傅里叶变换红外光谱
2009/10/26
利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示，SiNx非晶薄膜在812～892 cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode)，其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后，该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型，分析了磁控溅射过程中Si...
磁控溅射DLC/SiC/Ti多层膜对镁合金摩擦磨损性能的影响
镁基材 薄膜 摩擦磨损 磁控溅射
2013/10/8
采用室温磁控溅射技术在镁合金(AZ91D)表面制备DLC/SiC/Ti(类金刚石/碳化硅/钛)多层膜(SiC,Ti为中间层),研究了薄膜的纳米压痕行为和膜基系统的摩擦磨损性能。试验结果表明:DLC薄膜具有低的纳米硬度(4.01GPa)和低的弹性模量(40.53GPa),但具有高的硬弹比(0.10);膜基系统具有好的摩擦磨损性能;在以氮化硅球为对磨件的室温干摩擦条件下摩擦系数平均约为0.19,与镁合...
磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究
ZnO薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 光致发光
2009/5/7
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜，利用X射线衍射、扫描探针显微镜及荧光分光光度法研究了生长温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明，合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量；在室温下测量样品的光致发光谱(PL)，观察到波长位于400 nm左右的紫光、446 nm左右的蓝色发光峰及502 nm左右微弱的绿光峰，随衬底温度升高，样品的PL谱中紫光...