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二维层状磁性材料展现出如反常量子霍尔效应、巨大的隧道磁阻等奇特的物理特性。负磁阻材料在磁场中的电阻会下降，这一反常特性使其在现代磁传感器、电磁保护和自旋场效应晶体管中具有独特应用。近年来，科学家在二维层状材料中发现了一些负磁阻效应，例如，FeNbTe2晶体中出现本征的负磁阻效应（nMR=-1%）是自旋玻璃态和安德森电子局域的综合效应导致。在II型狄拉克半金属PtSe2中的铂空位会引起局部磁矩，从而...
北京大学物理学院吴孝松课题组在磁性外尔半金属中发现新奇霍尔和磁阻效应（图）
磁性外尔半金属 霍尔效应 磁阻效应
2021/10/14
随着大量拓扑材料涌现，拓扑物态领域的重心正在从单纯的新材料发现转移到对其新奇性质，尤其是电学输运性质的探索上来。这不仅有助于理解这类量子物态，也为拓扑材料的未来应用奠定基础。迄今已在非磁性的拓扑外尔半金属中观察到由手性反常导致的负磁阻和面内霍尔效应，在提供判定拓扑物态手段的同时也加深了人们对能带拓扑性质的认识。
单分子器件的电子输运通道调控及其巨磁阻效应研究取得进展（图）
单分子器件 电子输运通道 巨磁阻效应
2019/8/19
信息技术的成功发展离不开电子学器件的小型化。对器件小型化的追求促使了人们对单分子器件的研究和理解，以求最终实现以单分子为基本单元构筑电路。单分子器件已经成了在纳米尺度研究各种有趣物理现象和机制的平台。在原子尺度上对单个原子/分子的量子态实现精确操纵以及对其物性实现可控调制一直是凝聚态物理及其应用领域中最重要的前沿研究之一，相关研究具有极强的挑战性。过去十多年的时间里，中国科学院院士、中国科学院物理...
青岛大学物理科学学院大学物理实验（电磁学）课件 磁阻效应
青岛大学物理科学学院 大学物理实验 电磁学 课件 磁阻效应
2016/5/25
青岛大学物理科学学院大学物理实验（电磁学）课件 磁阻效应。
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
2007/12/12
文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×1013—7×1017cm-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。