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2024年5月8日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户北京航空航天大学王敬民教授、蒋成保院士团队，借助SHMFF水冷磁体WM5，通过引入有序位错阵列，在Ni34Co8Cu8Mn36Ga14单晶中实现了5% 的巨大磁致超弹性效应，相关成果在线发表于Advanced Science。
中国科学院科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法（图）
氮化硼 非线性光学 沉积
2024/5/12
常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，可以为变革性技术应用如存算一体器件和深紫外光源等提供新材料和解决方案。然而，相较于常见的hBN晶体，rBN晶体属于亚稳相，因而...
2024年4月29日，中国科学院合肥物质院固体所功能材料物理与器件研究部与强磁场科学中心等研究团队合作，在拓扑声子材料β-MoB2的光谱研究方面取得了新进展，相关结果发表在美国物理学会期刊Physical Review Research上。
2024年4月25日，中国科学院合肥物质院强磁场中心韩玉岩副研究员与安徽大学合作，依托稳态强磁场实验装置（SHMFF）的多功能物性测试系统，在EuMnSb2单晶的物性研究方面取得了新进展。这一成果已于2024年04月11日在国际著名学术出版社Elsevier发行的期刊Journal of Alloys and Compounds在线发表。
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院金属研究所专利：一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种高强度单晶铸件用螺旋选晶器的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 单晶铸件 螺旋选晶器
2023/8/11
中国科学院金属研究所专利：一种高强度单晶铸件用螺旋选晶器的制备方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下合成碳酸钡铁单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下合成碳酸钡锰单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱铁矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 菱铁矿 单晶 生长方法
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱铁矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱锰矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 菱锰矿 单晶 生长方法
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长菱锰矿单晶的方法
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长白云石单晶的方法
中国科学院地球化学研究所 专利 白云石 生长 单晶
2023/6/28
中国科学院地球化学研究所专利：一种在高温高压下生长白云石单晶的方法