搜索结果: 1-15 共查到“物理学 电致发光”相关记录17条 . 查询时间(0.157 秒)
中国科学技术大学在高效单分子上转换电致发光研究中取得重要进展(图)
单分子 电致发光 转换发光
2024/3/4
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展(图)
纯红光 钙钛矿电致 发光二极管
2022/12/13
2022年11月23日,中国科大姚宏斌教授课题组联合张群教授、林岳教授和张国桢副研究员研究团队提出金属卤化物钙钛矿亚稳相结晶策略,有效消除了混合卤素钙钛矿CsPbI3-xBrx晶粒内部的面缺陷,从而制备了高效的纯红光钙钛矿发光二极管,其外量子效率达17.8%,亮度为9000cd m-2,研究成果以题为“Planar defect-free pure red perovskite light-emi...
磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响
磷酸酯聚芴 界面修饰 聚合物电致发光
2014/3/16
发展了基于稳定金属电极的阴极界面材料,对促进聚合物电致发光器件的产业化进程具有重要意义。侧链含磷酸酯功能基团的聚芴衍生物(PF-EP)是一种极性聚合物中性材料,能溶于乙醇等醇类溶剂,非常适合制备多层溶液加工型发光器件。除此之外,它结合稳定的金属Al电极能实现有效电子注入。本文以PF-EP在绿光聚芴发光器件中的应用为例,详细对比分析了两种基于PF-EP的阴极电极结构(PF-EP/LiF/Al和PF-...
中国科学院物理研究所忆阻器的可调电致发光取得进展(图)
忆阻器 电致发光 电路里继电阻 人工神经网络
2013/11/19
忆阻器(Memristor)是电路里继电阻、电容和电感之外的第四种基本元器件。由于其在非易失性存储、人工神经网络、混沌电路、逻辑运算及信号处理等领域的应用潜力,成为2008年后电子学器件领域内的一个重要研究对象。电致发光(Electroluminescence)通常指半导体材料中电流或电场诱导的电子空穴对复合发光现象,在作为光源和显示等应用领域具有较长的历史。通常,忆阻器和电致发光器件具有截然不同...
富硅a-SiOxNy:H薄膜的电致发光特性
氮氧化硅薄膜 红光 电致发光
2013/11/30
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59:H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)...
基于电致发光影像的太阳能电池瑕疵检测
太阳能电池 电致发光影像 模糊C均值聚类 瑕疵检测
2013/11/30
太阳能电池制造的复杂性决定其在制造过程中会有很多瑕疵产生,瑕疵的存在会大大影响太阳能电池的发电效率和使用寿命。本文运用电致发光影像技术来凸显瑕疵,针对影像中的瑕疵人工检测率低且缺乏客观性的问题,选用了基于统计的瑕疵检测算法。检测时,选取扩展Haar特征作为样本像素点的特征值,应用改进的模糊C均值聚类法对正常样本进行分群训练,通过判断测试样本是否在正常样本群组之中的方法实现了样本的瑕疵检测,并近似地...
基于电致发光影像的太阳能电池瑕疵检测
太阳能电池 电致发光影像 模糊C均值聚类 瑕疵检测
2013/12/2
太阳能电池制造的复杂性决定其在制造过程中会有很多瑕疵产生,瑕疵的存在会大大影响太阳能电池的发电效率和使用寿命。本文运用电致发光影像技术来凸显瑕疵,针对影像中的瑕疵人工检测率低且缺乏客观性的问题,选用了基于统计的瑕疵检测算法。检测时,选取扩展Haar特征作为样本像素点的特征值,应用改进的模糊C均值聚类法对正常样本进行分群训练,通过判断测试样本是否在正常样本群组之中的方法实现了样本的瑕疵检测,并近似地...
利用微腔调节铕配合物实现多色电致发光
有机 微腔 Eu3+配合物 电致发光
2013/10/19
制备了以TCTA和CBP为空穴传输层、Eu(DBM)3Bath为发光层、TPBI为电子传输层的有机多层薄膜微腔电致发光器件。通过光学微腔来改变Eu(DBM)3Bath不同能级之间的跃迁速率,从而实现了Eu3+的5D0→7F0(580 nm)、5D0→7F2(612 nm)以及5D0→7F3(652 nm)的多色电致发光。其中,发光主峰在5D0→7F2(612 nm)的微腔OLED最大电流效率超过2...
以喇曼光谱和红外测温仪为表征手段, 研究了聚合物电致发光器件在施加不同电流密度的工作条件下器件内部热效应对器件老化的影响. 通过实验得到器件内发光层的斯托克斯喇曼信号和反斯托克斯喇曼信号强度的比值, 代入波尔兹曼方程计算得到该层对应的温度, 从而达到精确测量器件内部工作温度的目的. 通过对器件施加0~169 mA/cm2的电流密度, 发现器件内部工作温度逐渐升高, 最终达到有机层的玻璃化转变温度后...
PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用
电致发光 能量传递 激子
2009/10/30
研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD...
硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光
纳米硅 电致发光 光致发光
2009/10/29
硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3~5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV),一般认为这是来自Mn2+能级4T1 →6A1...
新型稀土铕配合物Eu(o-BBA)3(phen)电致发光研究
铕配合物 电致发光 有机无机复合
2009/10/28
研究了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲咯啉-铕(Eu(o-BBA)3(phen))的电致发光特性。采用不同的电子传输层材料,制备了多种结构的有机电致发光器件及有机无机复合器件。 比较了单层电致发光器件A:ITO/PVK∶Eu/Al与有机无机复合器件B:ITO/PVK∶Eu/ZnS/Al发光性能的不同。分析了采用无机半导体材料ZnS作为电子传输层的优点。研究结果表明采用无机的电子传输层...
有机无机异质节中稀土配合物电致发光的研究
有机无机异质节 电致发光
2009/10/27
报道了有机无机异质节中稀土配合物的电致发光,器件结构为:ITO/PVK:Rare Earth Complex/无机材料/Al,其中无机材料可以选用ZnS,ZnSe,ZnO等。在这种结构的器件中,均获得了比较好的稀土离子的特征发射。以无机材料ZnS为例,讨论了异质节中稀土配合物的电致发光及优势。ZnS的电介质系数比PVK的电介质系数大3倍多,将有更大部分的电压降落在PVK层上,使PVK层内的电场强度...