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作为现代电子工业的基石,半导体电子器件的基元就是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的最大特性就是其单向导电性。在正向偏置时,P-N结处于导通状态,允许电流通过;在反向偏置时,P-N结处于截止状态,电流无法通过。半导体电子器件就是利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似,具有宏观量子现象的超导体也在量子电子学中起到不可替代的作用,比如超导量子干涉仪等。那么,一个问题自然而生,我们能否...
通过引入具有类电磁诱导透明效应的超材料,非对称光子晶体谐振腔的透射特性得到了极大的优化,包括透射峰的品质因子和谐振腔模所对应的电磁场强度。品质因子的提高与非对称场强局域的增强有利于高性能电磁二极管的实现。我们在引入非线性材料的微带波导系统中验证了该方案。实验结果显示,此二极管在1.329GHz的工作频率下可产生高达19.7dB的透射对比度,同时输入功率强度仅为7dBm。此外,我们提出的方案并没有大...
金属卤化物钙钛矿作为新一代的半导体材料,由于其色域广、带隙易于调节、发光半峰宽窄、易于制备等优势成为制备LED器件的明星材料。钙钛矿结构中金属原子与卤素原子之间弱的离子键以及有机胺阳离子与无机八面体之间的非共价键使得钙钛矿的晶格具有柔软的特性。软晶格特性使得钙钛矿相较于传统的无机半导体对缺陷有更大的容忍性,这让钙钛矿成为可溶液法制备光电器件的理想材料。
中国科学技术大学电子线路课件 半导体二极管及其应用。
近日,物理学院凝聚态理论课题组教师解士杰、尹笋、崔彬与博士研究生薛利娟研究了具有电子给体-受体结构(Donor-Acceptor)的分子D-A连接桥的长度对于发光效率的影响,给出了一般结论。相关研究成果以“Influence of the Length of Donor-Acceptor Bridge on Thermally Activated Delayed Fluorescence”为题发表...
在常规的有机发光二极管的发光层中掺入lithium fluoride (LiF), 可以有效调控器件在不同温度下的电流与电致发光的磁场效应. 与未掺杂的参考器件相比, LiF掺杂器件的磁场效应的线型与幅度都发生了明显的改变. 在室温下, 当外加磁场强度达到几百毫特斯拉时, 常规器件的磁场效应随磁场增加缓慢增大并趋于饱和, 而掺杂器件的磁场效应随磁场增加几乎呈直线增加, 且表现出了不饱和的高场效应....
在以聚合物发光材料poly(2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的聚合物poly(ethylene oxide)(PEO),发光器件的发光性能有所提高,尤其是PEO/LiF共同对Al电极修饰时发光器件的开启电压、发光强度、电流效率...
某些锗隧道二极管的老化现象          2007/12/12
某些锗隧道二极管的老化现象。
合金扩散参量二极管的优值          2007/12/12
具有较高电容-电压非线性的合金扩散参量二极管,自1958年提出后已受到重视,但迄今缺乏认真的分析。本文在全面考虑优值的基础上,作了仔细的普遍探讨,与合金结进行对比,给出了有关特性的估价。

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