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中国科学院上海微系统所石墨烯量子点荧光发光机制研究获进展
石墨烯量子点 纳米材料 器件
2024/4/8
2024年4月1日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室丁古巧团队在石墨烯量子点制备及荧光机制研究方面取得进展。该工作深化了关于石墨烯量子点发光机理的认知，阐释了多变量体系下机器学习辅助材料制备成果所包含物理内涵。相关研究成果以Precursor Symmetry Triggered Modulation of Fluorescence Quantum Yield in Gra...
2024年1月23日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰、杜骏团队在胶体量子点多激子动力学与光增益研究中取得进展。该团队与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队合作，开发了体积紧凑的“俄歇抑制”型胶体量子点，在量子点溶液中观测到了准连续光泵浦下的放大自发辐射现象。
中国科学技术大学在高性能量子点发光二极管取得新进展（图）
量子点发光 二极管 偶极-偶极相互作用
2024/3/8
中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与河南大学申怀彬教授、多伦多大学Edward H. Sargent教授合作，在量子点发光二极管（QD-LED）领域取得重要进展。该研究团队利用混合相CdZnSeS 量子点中的偶极-偶极相互作用使量子点有效排列，增强了发光二极管中的光子外耦合。研究成果以“Dipole–dipole-interaction-assisted se...
研究人员在量子点图案化技术方面取得进展
量子点 图案化技术 RM-PE-TP图案化
2023/12/12
近日，广东省科学院半导体研究所新型显示团队在量子点图案化技术方面取得进展，他们利用RM-PE-TP图案化技术制备出分辨率最高为669 ppi、薄膜厚度最高达19.74 μm的图案化量子点聚合物薄膜。相关成果发表于《纳米尺度》。
研究实现量子点激子相干动力学的磁场调控
量子点 激子相干 动力学 磁场调控
2023/12/12
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰团队在量子点激子相干动力学研究中取得新进展。团队利用磁场调制的量子拍频光谱技术，揭示了通过磁场调控钙钛矿量子点带边激子偏振的原理，实现了近室温下激子相干动力学的定量操控。相关成果发表在《先进材料》。
中国科学院大连化学物理研究所实现量子点激子相干动力学的磁场调控（图）
量子 激子相干动力学 磁场调控 光电材料
2024/1/12
2023年12月4日，中国科学院大连化学物理研究所化学动力学研究室光电材料动力学研究组（1121组）吴凯丰研究员团队在量子点激子相干动力学研究中取得新进展，利用磁场调制的量子拍频光谱技术，揭示了通过磁场调控钙钛矿量子点带边激子偏振的原理，实现了近室温下激子相干动力学的定量操控。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：CdTe/ZnSe量子点的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所揭示量子点低阈值光增益新机制（图）
量子点 瞬态吸收 光谱
2023/11/28
2023年11月17日，中国科学院大连化学物理研究所化学动力学研究室光电材料动力学研究组 (1121组) 吴凯丰研究员与朱井义副研究员团队在胶体量子点超快光物理研究中取得新进展，团队基于偏振控制的飞秒瞬态吸收光谱，精准地分辨受激辐射和双激子吸收的光谱特征，在钙钛矿量子点体系中观测到平均激子数小于0.1的光增益现象，并揭示了动态晶格在其中起到的关键作用。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：水溶性近红外量子点、其制备方法及应用
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 水溶性 近红外 量子点
2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：水溶性近红外量子点、其制备方法及应用
中国科学院深圳先进技术研究院专利：多肽-量子点纳米复合物溶液及其合成方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 多肽 量子点 复合物溶液
2023/11/10
中国科学院深圳先进技术研究院专利：多肽-量子点纳米复合物溶液及其合成方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种掺杂量子点比率荧光法可视化检测有机磷农药残留的方法
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种采用碲化镉量子点清除帕金森模式细胞中产生的α-核突触蛋白的方法及其应用
中国科学院上海应用物理研究所 专利 碲化镉量子点 帕金森模式 细胞 α-核突触蛋白
2023/7/24
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种采用碲化镉量子点清除帕金森模式细胞中产生的α-核突触蛋白的方法及其应用
中国科学院半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展（图）
半导体所 硅基外延 量子点激光器
2023/6/25
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存...
