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如何利用全电学方法实现磁性薄膜的确定性磁矩翻转,一直是研发自旋电子学器件的挑战性难题之一。随着研究的不断深入,实现磁矩确定性翻转的方式发生了阶跃性的变化,极大地推动了自旋电子学核心器件—磁随机存储器(MRAM)更新换代式的递进发展。磁随机存储器是最具大规模产业化前景的新一代非易失性存储器之一,它采用磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)作为存储单元。如第一代磁场驱...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室 M02课题组韩秀峰研究员团队探索出具有T型磁结构的MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO的反铁磁耦合薄膜体系,可以用来实现两种SOT效应驱动垂直自由层磁矩翻转的全电学操控模式:Z型翻转模式和T型翻转模式。T型磁结构是指两个分别具有面内磁各向异性的CoFeB和具有垂直磁各向异性的CoFeB薄膜,通过中间Ta插层的层间相互作用耦...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M02研究组研究员韩秀峰课题组很早就研究并注意到自旋轨道力矩(SOT)效应的重要性和潜在应用价值,并于2009年最早申请了一个利用自旋轨道力矩翻转磁矩并应用于磁随机存储器和自旋逻辑的中国发明专利(200910076048.X)。此后,该研究组一直坚持研究自旋轨道力矩效应及其相关自旋电子学原型器件探索,先后从实验和理论角度清楚表明了两...
磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递,特别是自旋信息的产生、操控和探测是自旋电子学领域的一个基本问题。现有的自旋电子学中自旋信息主要依赖金属中的传导电子,一个非常有趣的问题是,是否有其他粒子甚至是准粒子可以作为自旋信息的载体?作为铁磁体中低能激发态的准粒子——磁子,是一种玻色子,并且一个量子化的磁子携带一个普朗克常量的自旋角动量。在金属中,传导电子自旋的输运通常伴随着电荷的输运...

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