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国外开发出固态晶体生长技术
固态晶体 生长技术 熔体加工
2024/1/17
美国得克萨斯农工大学（Texas A&M University）科研人员开发出一种无需熔体加工即可生长单晶并同时控制其生长方向的新方法——固态晶体生长（SSCG）技术。
近期，上海光机所出槽一块尺寸为470mm×495mm×560mm（长×宽×柱面高）长籽晶快速生长的大口径DKDP晶体，这是国际上首次获得的大口径长籽晶DKDP晶体，标志着长籽晶快速生长DKDP晶体技术得到成功验证。相关晶体制备技术已经申请了专利（公开号：CN 109943881A，CN110055579A）。 研究团队采用长籽晶点晶技术（籽晶长度320mm），在自主研发的1300型连续过滤晶体生长...