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搜索结果: 1-13 共查到生长习性相关记录13条 . 查询时间(0.073 秒)
2021年11月3日,上海市农业科学院杨娟研究员携信息所数字农业中心表型组学创新团队成员,赴爱盛生物(上海)科技有限公司商讨基于生菜生长习性的植物工厂环境智能控制系统研究项目的各项细节及进展计划。爱盛生物(上海)科技有限公司的副总经理宋一鹏带领大家参观了公司植物工厂,介绍了生菜生长环境,并详细讲解了目前种植的蔬菜品种等情况。
晶体生长习性对晶体的物理化学特性和药物活性有重大影响,因此对化学工业及药物生产研发具有重要意义。目前使用添加剂调控晶体生长习性已经取得了较好的发展,但多数研究对调控机理的解释缺少理论计算支撑,仅有少数研究涉及NaCl、KCl等立方结构晶体习性调控的理论计算。
常压水热条件下, 以天然高岭土为原料, 制备莫来石复相晶体实验观察到莫来石晶体呈柱状生长习性. 用Materials Studio 4.4 CASTEP (Cambridge serial total energy package)程序, 对莫来石晶体的特征显露面族(001), (210), (110)和(120)晶面表面能进行理论计算, 进而分析各晶面生长速度与习性关系. 计算得出其表面能大小依...
以四水醋酸钴和无水乙醇为原料,采用溶剂热法在150℃制备了纳米晶体CoO. 利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对产物进行了分析和表征. 结果表明,产物CoO晶体为面心立方结构,晶粒尺寸约为50 nm,大小均匀,分散性好. 研究了不同合成条件对CoO晶粒尺寸的影响,并分析了CoO的结晶习性,在低过饱和度条件下,CoO晶体因{111}晶面生长速度最慢而...
对氢氧化铝晶体生长习性进行Morphology理论研究,明确氢氧化铝晶粒长大后的晶粒形态特征及氢氧化铝的理论晶体生长习性。首先,用BFDH法说明了生长过程中最重要的面;其次,采用晶体平衡形态(Equilibrium morphology)法,用Morphology程序对氢氧化铝3×4×2超晶胞及其(001),(100),(010),(011),(110),(101)和(112)面真空slab模型进...
[目的] 了解航天诱变的番茄生长习性变化与其光合生理特征间的关系。[方法] 通过航天诱变技术,从有限生长习性的番茄亲本(1032)中获得番茄无限生长突变体(M1),对该突变体2个不同世代(SP3和SP4)与其遗传背景亲本(CK)的植株产量、光合特性等进行了分析。[结果] 与CK相比,突变体SP3、SP4的产量分别增加34.9% 和34.4%; SP3、SP4与CK的净光合速率(P...
【目的】利用远缘杂交和多倍体双重优势选育超级稻是水稻育种的新战略。在获得一批多倍体籼粳亚种杂交稻株系的基础上,为了更大规模地展示这种杂种优势和更全面地研究多倍体籼粳亚种杂交稻的特点。【方法】以PSR073和PSR120为材料,对其叶龄、分蘖、开花习性及外部形态等进行观察统计,研究其生长习性。【结果】PSR073、PSR120在株高、穗长、粒长、粒宽、千粒重等农艺性状上均表现出明显的多倍体优势,并且...
摘要 从结晶化学角度出发,研究了硫氰酸汞镉(简写为CMTC〕结构是的基本结构单无即H~gS~4和CdN~4R的结晶方位与晶体各簇晶面间的对应关系。在对CMTC的生长溶液结构测定和推理基础上,提出该晶体生长基元的结构形式和生长基元向各簇晶面上堆积的规律。进而讨论了该晶体生长习性的形成机理。实验表明,CMTC的生长溶液中存在着与晶体结构是相同的基团即阴离子多面体生长基元。随着生长条件和变化,生长基元的...
摘要 有机晶体特别是极性有机晶体, 在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性。本文通过对4-氨基-4'-硝基二苯硫醚(ANDS)等几种典型极性有机晶体在不同溶剂中的生长习性和结晶形貌的讨论, 提出了偶极生长基元叠合模型, 从两个方面探讨了这些习性的形成机理, 即(1)有机晶体在不同的溶剂中具有不同结构和形式的生长基元(对于极性有机晶体而言, 这些生长基元都具有偶极子特征), 而不同的生长基元往晶体的各...
极性有机晶体在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性, 主要有两个方面的原因: 一是极性有机晶体属非中心对称性晶类, 晶体具有极轴, 极轴的存在对分子堆积和晶体生长具有重要影响; 另一是极性有机晶体的界面结构不同, 溶剂与晶体界面的相互作用不同, 使得晶体同一面族的生长速率不同, 从而导致了晶体习性的改变。本文从几种典型极性有机晶体的分子排列和结构特征出发, 着重探讨了极性有机晶体的界面结构的差异对晶...
文章摘要: 利用配位多面体生长基元理论研究了自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性.TiC晶体的配位多面体生长基元为TiC6.生长基元进入{100}面时为4个棱边同时联结,生长速率最快,不易显露;进入{111}面时为共面联结,生长速率最慢,容易显露因此,TiC晶体的理想形态为以{111}面为显露面的八面体.TiC晶胚在熔体中生长时,受传热传质过程的影响,6个顶角所处的{1...
硫化物晶体的生长习性           2007/7/28
期刊信息 篇名 硫化物晶体的生长习性 语种 中文 撰写或编译 作者 李汶军,施尔畏 第一作者单位 刊物名称 无机材料学报 页面 2000:15(3):392-396 出版日期 2000年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 低受限度生长体系晶体结晶习性与形成机理
晶体的生长习性           2007/7/28
期刊信息 篇名 晶体的生长习性 语种 中文 撰写或编译 作者 李汶军,施尔畏 第一作者单位 刊物名称 人工晶体学报 页面 2000:39(5):24 出版日期 2000年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 低受限度生长体系晶体结晶习性与形成机理

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