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中国科学院物理研究所发现磁性拓扑绝缘体中的双分量反常霍尔效应（图）
中国科学院物理研究所 磁性 拓扑绝缘体 双分量反常 霍尔效应
2018/4/13
针对上述(Mn,Bi)2Se3基态自旋结构方面的争议，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室N08组的博士生刘楠、副研究员滕静和研究员李永庆对Mn掺杂的Bi2Se3开展了系统的薄膜制备和电子输运性质研究。他们不仅在这个体系中观测到了反常霍尔效应，并且发现随着Mn掺杂浓度的提高，反常霍尔电阻的符号由正变为负。类似的反常霍尔电阻的符号改变也可以通过改变栅压来实现。他们还发...