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中国科学院金属研究所专利：一种力场调控的太赫兹波柔性光学窗口及其制备方法和应用
上海光机所在太赫兹波电子加速研究中取得重要进展（图）
太赫兹波 电子加速 光学集成化
2023/8/18
2023年7月14日中科院上海光机所李儒新、田野和宋立伟团队在太赫兹波电子加速领域取得重要进展。研究团队基于上海光机所新一代超强超短脉冲激光综合实验装置，利用超强超短激光驱动丝波导产生毫焦耳级太赫兹表面波，并采用表面波进行电子加速，解决了高能量太赫兹波产生以及自由空间太赫兹波至波导能量耦合效率低等难题。该项研究将太赫兹波的产生、传输及耦合集成到波导上，并在波导管中5mm距离实现了最高1.1 MeV...
由中国科学院西安光学精密机械研究所和瞬态光学与光子技术国家重点实验室联合主办，国家自然科学基金委员会、中国科学院、中国光学学会高速摄影和光子学专业委员会、信息功能材料国家重点实验室、中国科学院物理研究所、西安理工大学等单位协办的“第五届超快现象与太赫兹波国际研讨会”（ISUPTW 2010）于9月12日至16日在古城西安隆重召开。会议期间，各国专家和学者主要就当前国际上“超快激光技术”和“太赫兹波...
L-抗坏血酸的太赫兹波时域光谱研究
L-抗坏血酸 太赫兹波 密度泛函理论
2009/10/30
文章从理论分析和实验研究两方面探讨了L-抗坏血酸分子在0.2～2.4 THz波段的光谱特性。应用密度泛函理论的Becke-3-Lee-Yang-Parr(B3LYP)方法计算了L-抗坏血酸分子在THz波段的振动吸收谱，同时利用THz时域光谱系统(THz-TDS)测得了L-抗坏血酸在此波段的吸收谱和折射率谱。根据理论计算结果，借助于Gaussian View软件对L-抗坏血酸的THz吸收谱进行了指认...
硅材料的太赫兹波频域特性分析
太赫兹波频 硅材料
2009/7/15
对不同电阻率的N型硅材料（电阻率从5～100 Ω*cm）在太赫兹波波段的折射率、消光系数和吸收系数等特性参数，利用返波振荡器（BWO）太赫兹波系统进行了测试、计算和分析，得到N型硅在0.23 THz到0.375 THz频段范围内的光学特性.表明在这一波段N型硅的太赫兹波吸收系数随着电阻率的增加而减小，吸收系数最小值可达到3.39×10-4 cm-1.分析表明,它将是潜在的太赫兹波波导的最佳候选材料...