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铁电薄膜在数据储存、传感、表面催化等方面有着许多应用。铁电体的特征就是具有自发的可翻转的电偶极矩。铁电体的边界处由于结构的不连续性，存在束缚极化电荷的聚集。束缚电荷只有得到了有效的屏蔽，铁电相才能稳定存在。对于铁电薄膜，由于显著的边界效应，界面的极化电荷屏蔽机制基本决定了薄膜器件的物性与应用。长久以来，人们认为铁电薄膜中存在一个临界尺寸。当薄膜的厚度小于临界尺寸，边界的极化电荷会产生一个很大的退极...
中国科学院物理研究所开发出新型光诱导室温非破坏性铁电薄膜记忆读取方法（图）
中国科学院物理研究所 铁电薄膜 光
2014/11/20
钙钛矿氧化物低维体系的光、电多场调控是未来新一代多功能器件的基础。铁电材料在室温下可以存在两种稳定的极化状态。由于外加电场对极化状态的改变操作方便，操作区域小（纳米尺度），能耗低，利用铁电材料做成的铁电随机存储器（FeRAMs）在信息存储领域被寄予厚望。然而，现有的 FeRAMs 所用的破坏性信息读取方式（利用外加脉冲电压，测量极化反转电流从而读取极化信息）大大制约了FeRAMs的发展。磁存储器可...
一种新型光诱导室温非破坏性铁电薄膜记忆读取方法（图）
光 铁电薄膜记忆 薄膜
2014/11/20
钙钛矿氧化物低维体系的光、电多场调控是未来新一代多功能器件的基础。铁电材料在室温下可以存在两种稳定的极化状态。由于外加电场对极化状态的改变操作方便，操作区域小（纳米尺度），能耗低，利用铁电材料做成的铁电随机存储器（FeRAMs）在信息存储领域被寄予厚望。然而，现有的 FeRAMs 所用的破坏性信息读取方式（利用外加脉冲电压，测量极化反转电流从而读取极化信息。）大大制约了FeRAMs的发展。磁存储器...
报道了在镍酸镧 (LaNiO3, 简称LNO)衬底上锆钛酸铅 [Pb(ZrxTi1－x)O3, 简称PZT]铁电薄膜及其成分梯度薄膜的结构、介电性能、铁电性能以及热释电性能. 首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3, 薄膜, 再通过溶胶-凝胶(sol-gel)法, 在LNO/Si(100)衬底上制备出Pb(Zr0.80Ti0.20)O3, [PZT(80...
(Pb,La)TiO3铁电薄膜的太赫兹时域光谱实验研究
太赫兹时域光谱 PLT薄膜 烧结温度
2009/11/2
利用THz时域光谱技术(THz-TDS)探测了制作在SiO2/Si衬底上的(Pb,La)TiO3铁电薄膜的频谱响应，获得了三种不同烧结温度的掺镧钛酸铅(PLT)薄膜的THz频谱。根据实验数据计算得到了PLT薄膜在0.2～3 THz频段内的吸收系数、折射率和复介电常数，并对比了三种不同烧结温度的PLT薄膜的实验计算结果。实验结果表明，三种PLT薄膜在所测频段内均有较强吸收，且都在1.5 THz处有一...
启明星项目“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”顺利通过验收
2007/8/9
由我所黄志明研究员负责承担的上海市青年科技启明星项目“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”顺利通过验收。室温型铁电薄膜红外焦平面列阵是当今研究的热点之一，对现有器件原型性能突破的最大潜力在于提高其对红外光的吸收率。通过本项目的研究，项目组成功制备了8～14微米波段红外共振腔结构，最高吸收达到80％。有1项专利获第五届中国国际发明奖金奖。在国内外著名刊物上发表学术论文34篇，其中一篇被美国N...
“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”顺利通过验收
2007/8/9
由上海市科委主持的启明星项目“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”验收会于2005年2月2日在我所召开。该项目成果喜人：在黄志明博士的带领下，项目组成功地制备了8～14微米波段红外共振结构，最高红外吸收达到80％；实现了不同膜厚（35～180nm）的透明金属氧化物薄膜电极材料的红外光学常数研究。从该项目中诞生的一项专利获得了第五届中国国际发明奖金奖；在国内外著名刊物上发表学术论文34篇，其...
近日，我所褚君浩研究员提出的“铁电薄膜红外焦平面列阵研究”喜被列入2003年上海市重点基础研究计划。该项目主要解决高性能集成铁电薄膜复合结构的制备问题，研究铁电薄膜主要特性的尺寸效应、界面效应以及表征参数的微观机制，掌握铁电薄膜微结构的控制方法。同时，在物理研究基础上探索建立集成铁电薄膜非致冷红外焦平面光电转化的实际物理模型和相关理论。该课题的顺利完成将可大大缩短我国与发达国家在该技术领域的差距，...