搜索结果: 1-15 共查到“物理学 铁”相关记录405条 . 查询时间(0.208 秒)
中国科学院物理研究所全氮化物铁磁/超导界面近邻效应（图）
氮化物铁磁 超导界面 磁性材料
2024/4/16
超导体（S）和铁磁体（F）之间的界面是凝聚态物理研究者们关心的问题之一，两者界面耦合产生了许多有趣的物理现象，例如（反）磁近邻效应、自旋三重态及马约拉纳费米子等。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用，导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时，磁场进入超导体内仅几纳米的区域，并破坏了库珀对，导致界面的超导行为发生空间变化，从而显著影响两侧材料的宏观物理特性。...
中国科学院研究揭示磁近邻效应和界面电荷转移诱导的层状铁磁结构
界面 电荷转移 铁磁结构
2024/3/26
钙钛矿镍氧化物作为典型的关联电子体系，表现出金属-绝缘体相变、拓扑结构相变等物性。近期，由于112相和327相镍基超导体系的陆续发现，更使得镍氧化物成为功能氧化物材料/器件研究领域的热点。通常，钙钛矿镍氧化物随着温度的降低而发生金属-绝缘体相变，并伴随着磁性的顺磁-反铁磁相变。而LaNiO3成为钙钛矿镍氧化物中唯一在全温区保持泡利顺磁性的体系。因此，从实验或理论的角度设计和调控LaNiO3的磁基态...
中国科学院物理研究所磁近邻效应和界面电荷转移诱导的层状铁磁结构（图）
界面 电荷转移 铁磁结构
2024/3/16
钙钛矿镍氧化物作为典型的关联电子体系，表现出如金属-绝缘体相变、拓扑结构相变等一系列丰富的物性。近期，由于112相和327相镍基超导体系的陆续发现，更是让镍氧化物成为了功能氧化物材料/器件研究领域的热点。通常，钙钛矿镍氧化物随着温度的降低将发生金属-绝缘体相变，同时伴随着磁性在的顺磁-反铁磁相变。而LaNiO3成为了钙钛矿镍氧化物中唯一在全温区保持泡利顺磁性的体系。因此，从实验或理论的角度设计和调...
中国科学院物理研究所衬底取向增强的CaRuO3/SrTiO3界面铁磁性（图）
界面铁磁性 耦合
2024/3/16
关联氧化物异质界面多自由度之间的强烈耦合相互作用，往往会导致完全不同于体相的奇异物态和新颖物理效应，是设计开发氧化物复合功能材料和新结构器件的有效途径。4d钌酸盐 (ARuO3) 作为复杂氧化物体系中一个重要的家族，表现出巡游铁磁性、磁性Weyl费米子、非常规超导、非费米液体等一系列丰富多彩的物理性质。SrRuO3 作为唯一天然具有铁磁性和强自旋轨道耦合（SOC）的钙钛矿氧化物，成为该体系研究的明...
全固态电池是未来趋势，它使用无机固态化合物作为电解质材料，因其高能量密度、不易燃等特性，可大幅改善电池的安全性能和储能密度。磷酸铁锂是目前最优的商业化正极材料；另一方面硫化物固态电解质具有优异锂离子电导率（>10 mS cm-1），是目前最优的固态电解质材料之一。因此将磷酸铁锂和硫化物固态电解质结合，发展新体系是一项具有应用前景的技术道路。虽然已有研究团队关注此类体系，但在实际性能测试过程中，电解...
中国科学院研究确定只具有空穴型费米面铁基超导体的超导能隙对称性（图）
铁基超导体 超导薄膜 光电子能谱
2024/2/22
自2008年发现以来，作为第二大类高温超导材料的铁基超导体的超导配对机理一直是凝聚态物理领域的重大前沿问题。确定超导能隙对称性和导致电子配对的媒介是解决超导机理的两个先决条件。铁基超导体是一个典型的多带体系，其配对对称性和费米面的拓扑结构密切相关。大多数铁基超导体具有布里渊区中心（Γ点）的空穴型费米面和布里渊区角落（M点）的电子型费米面，其配对对称性普遍被认为是s± (Γ-M)，即在Γ点空穴型费米...
铁基超导体作为第二大类高温超导材料，自2008年发现以来，其超导配对机理一直是凝聚态物理领域的重大前沿问题。确定超导能隙对称性和导致电子配对的媒介是解决超导机理的两个先决条件。铁基超导体是一个典型的多带体系，其配对对称性和费米面的拓扑结构密切相关。大多数铁基超导体具有布里渊区中心（Γ点）的空穴型费米面和布里渊区角落（M点）的电子型费米面，其配对对称性普遍被认为是s± (Γ-M), 即在Γ点空穴型费...
中国科学院科学家在室温铁磁材料中观测到反对称磁电阻及非常规霍尔效应（图）
温铁磁材料 观测 磁电阻
2024/1/19
稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心低功耗量子材料研究团队，依托SHMFF磁性测量系统，通过磁输运测量，在二维铁磁材料Fe5-xGeTe2纳米片中观测到非互易反对称磁电阻及非常规霍尔效应。相关研究成果发表在《美国化学学会-纳米》（ACS Nano）上。
最近，精准智能化学重点实验室吴长征教授课题组发现有机分子与无机结构形成磁性交换新机制，获得高居里温度（> 400 K）和强磁性（4 emu.g-1）的二维铁磁分子材料。相关研究成果以“Room-temperature long-range ferromagnetic order in a confined molecular monolayer”为题于2024年1月10日在线发表在《自然?物理》杂...
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
反铁磁序中自旋涨落引起的自旋霍尔效应增强（图）
反铁磁序 自旋涨落 自旋 霍尔效应增强
2024/1/9
自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流，而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动，即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。2009年，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等，发明专利授权号:CN200910076048.X]，在其中...
中国科学院物理研究所反铁磁序中自旋涨落引起的自旋霍尔效应增强（图）
自旋霍尔效应 轨道耦合 磁性金属
2024/1/13
自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流，而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动，即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。2009年，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等，发明专利授权号:CN200910076048.X]，在其中...
近日，南京大学物理学院李绍春课题组发展了一种氢辅助的动力学方法，成功在FeSe/SrTiO3超导单层中引入浓度可控的铁空位，并首次在该体系中实现了铁空位诱导的超导相-绝缘母相转变。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法