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武汉大学物理科学与技术学院博士生导师郑赫副教授(图)
武汉大学物理科学与技术学院 郑赫 副教授
2021/11/9
经典的位错理论认为室温下材料的力学行为主要由线缺陷(位错)及面缺陷(孪晶、晶界等)决定,而点缺陷在室温力学形变中所扮演的角色往往被“忽略”。在前期相关工作的基础上(Phys. Rev. Lett. 109: 225501 (2012);Phys. Rev. Lett. 123: 216101 (2019)),王建波课题组利用原位电子显微技术,研究了CuO纳米线在弯曲应力作用下的原子尺度滞弹性形变过...