搜索结果: 151-165 共查到“物理学 专利”相关记录1133条 . 查询时间(0.524 秒)
本发明涉及一种化合物硫磷汞锌和硫磷汞锌红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Zn2HgP2S8，分子量为649.79 g/mol，采用高温固相法合成；该晶体的化学式Zn2HgP2S8，分子量为649.79 g/mol，不具有对称中心，结晶于正交晶系，空间群为，晶胞参数为：a＝16.2706(12)?，b＝7.9266(7)?，c＝9.0620(7)?，Z＝4。采用高温熔体自发结晶法...
本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，...
本发明涉及一种化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，其结构属于单斜晶系，空间群为，采用助溶剂法制成，该晶体的化学式为Cs3Ga8S13Cl，分子量为2627.56，结晶于单斜晶系，空间群为，晶胞参数为a=10.0698(5)?，b=17.8139(8)?，c=14.6479(6)?，α=90°，β=90.218...
本发明提供一种化合物氟硼酸锂钾和氟硼酸锂钾双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Li2KB5O8F2，分子量为273.03，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为Li2KB5O8F2，分子量为273.03，属于正交晶系，空间群为Pbcn，晶胞参数为a=8.966(5)?，b=9.272(8)?，c=8.247(8)?，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为709.94(...
本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数...
本发明提供一种化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于正交晶系，空间群为，晶胞参数为，，，，β=90°，γ=90°，单胞体积为687.679?3，该结构的倍频效应约为2.64倍的KH2PO4(KDP)，紫外截止边为178 nm，采用真空封...
本发明提供一种化合物镧硼氧氟及镧硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途。该化合物的化学式为La2B5O9F3，分子量为532.87，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为La2B5O9F3，分子量为532.87，属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为a=11.0855(8) ?，b=11.2677(7) ?，c=6.4731(4) ?，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为80...
本发明提供化合物硫锡锶和硫锡锶红外光学晶体及制备方法和应用。所述化合物的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，为硫锡锶单晶颗粒，该晶体的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，具有两个相，均属于正交晶系，空间群分别为（命名为）和（命名为），其中，晶胞参数为，单胞体积为758.78(4)Å3；晶胞参数为，单胞体积为745.13Å3。采用高温熔融自发结晶法制成。基于H...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：超声弹性成像体膜及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 超声 弹性成像体膜
2023/11/27
中国科学院深圳先进技术研究院专利：超声弹性成像体膜及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：磁共振冷却系统及成像装置
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 磁共振 冷却系统 成像装置
2023/11/27
中国科学院深圳先进技术研究院专利：磁共振冷却系统及成像装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：磁共振成像定量参数计算方法及系统
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 磁共振成像 定量参数计算
2023/11/27
中国科学院深圳先进技术研究院专利：磁共振成像定量参数计算方法及系统
中国科学院合肥物质科学研究院专利：激发态分子碰撞表面解吸电离离子迁移谱探测方法与装置
中国科学院金属研究所专利：一种低压脉冲磁场凝固装置
中国科学院金属研究所 专利 低压 脉冲 磁场凝固
2023/11/27
本实用新型涉及一种细化金属凝固组织的低压脉冲磁场凝固装置,属于金 属凝固组织控制装备领域,解决现有技术中电源功率过高,体积庞大,安全可 靠性差,在工业生产中推广应用困难等问题。该装置设有脉冲磁场发生系统、 脉冲磁场作用系统,脉冲磁场作用系统包括保温模具、磁场线圈,保温模具置 于磁场线圈内侧,脉冲磁场发生系统通过磁场线圈与脉冲磁场发生系统相连。 本实用新型脉冲磁场凝固装置采用充放电模式,具有低充电电...
中国科学院金属研究所专利：一种半自动X射线晶面指数标定方法和晶胞常数数计算方法
中国科学院金属研究所 专利 X射线 晶面指数 晶胞常数
2023/11/27
中国科学院金属研究所专利：一种半自动X射线晶面指数标定方法和晶胞常数数计算方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：CdTe/ZnSe量子点的制备方法